SI3460DDV-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI3460DDV-T1-GE3 为 VISHAY（威世）推出的一款 N 沟道低压功率 MOSFET，额定漏源电压 20 V，适用于各种低电压功率开关与电源管理场景。器件采用 6 引脚 TSOP-6 表面贴装封装，体积小、寄生电感低，便于高速开关与高密度布局。

二、主要电气参数

• 漏源电压 Vdss：20 V
• 连续漏极电流 Id：6.2 A
• 导通电阻 RDS(on)：0.028 Ω（在 Vgs = 4.5 V, Id = 5.1 A 测试条件）
• 阈值电压 Vgs(th)：1 V（典型）
• 总栅极电荷 Qg：6.7 nC（在 Vgs = 4.5 V）
• 输入电容 Ciss：666 pF（在 10 V）
• 耗散功率 Pd：1.7 W（标准测试条件）
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃

三、性能亮点

SI3460DDV 为“逻辑电平”型 MOSFET，4.5 V 驱动即可达到标称 RDS(on)，适合与 3.3 V / 5 V 驱动电路配合使用。较低的导通电阻和适中的栅极电荷在保持低导通损耗的同时，对驱动功率的要求也比较温和；TSOP-6 封装有利于快速热传导与 PCB 布局优化。

四、典型应用

• 同步整流与降压 DC–DC 开关模块
• 负载开关、背靠背保护电路
• 电池管理与电源路径控制
• 小型电机驱动与便携设备电源系统

五、布局与使用建议

• 为降低 RDS(on) 与热阻，建议在器件底部与周围布置大型铜箔并采用多通孔引出至散热层。
• 栅极驱动回路应尽量缩短，使用合适的驱动电阻以抑制振铃并兼顾开关损耗与 EMI。
• 在高频开关应用中，关注 Ciss 与 Qg 对驱动器的瞬时电流要求，必要时选择能够提供瞬态电流的驱动芯片。
• 注意按实际工作温度对电流与功耗进行热降额评估，参考厂商完整数据手册进行可靠性设计。

六、结语

SI3460DDV-T1-GE3 以其低 RDS(on)、适中 Qg 与紧凑 TSOP-6 封装，在桌面电源、便携电源与各种低压大电流开关场合具有良好性价比。欲获得更详尽的参数曲线、热阻与封装引脚图，请参考 VISHAY 官方数据手册以完成最终电路设计与热设计校核。