型号:

LT1013DS8#TRPBF

品牌:ADI(亚德诺)/LINEAR
封装:MSOP-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LT1013DS8#TRPBF 产品实物图片
LT1013DS8#TRPBF 一小时发货
描述:精密运放 0.4V/us 双路 15nA 1MHz SOIC-8
库存数量
库存:
100
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
19.11
1000+
18.59
产品参数
属性参数值
放大器数双路
增益带宽积(GBP)1MHz
输入偏置电流(Ib)15nA
输入失调电压(Vos)60uV
共模抑制比(CMRR)117dB
压摆率(SR)0.4V/us
输出电流20mA
输入失调电压温漂(Vos TC)300nV/℃
静态电流(Iq)350uA
工作温度0℃~+70℃
单电源5V
双电源(Vee ~ Vcc)-18V~-2V;2V~18V
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
噪声密度(eN)24nV/√Hz@10Hz
输入失调电流(Ios)800pA

LT1013DS8#TRPBF 产品概述

一、概述

LT1013DS8#TRPBF 为 ADI/Linear 提供的精密双路运算放大器,采用 MSOP-8(小封装)并以无铅卷带包装出货。器件针对精密直流/低频模拟信号处理优化,具有极低的输入失调、电流和噪声特性,适合对直流精度和低频噪声敏感的测量与信号调理场合。

二、主要参数

  • 放大器数:双路
  • 增益带宽积(GBP):1 MHz
  • 压摆率(SR):0.4 V/μs
  • 输入偏置电流(Ib):15 nA
  • 输入失调电压(Vos):60 μV
  • 输入失调电压温漂(Vos TC):300 nV/℃
  • 输入失调电流(Ios):800 pA
  • 共模抑制比(CMRR):117 dB
  • 噪声密度(eN):24 nV/√Hz @10 Hz
  • 输出电流:20 mA
  • 静态电流(Iq):350 μA(注:具体为单放大器或整片请以原厂资料为准)
  • 工作温度:0 ℃~+70 ℃
  • 电源:单电源 5 V;双电源范围 VeeVcc = -18 V-2 V 或 2 V~18 V;最大电源电压宽度 36 V

三、性能特点

  • 极低的输入失调电压与小温漂,便于在精密零点或差分测量中降低校正工作量。
  • 低频噪声表现良好(10 Hz 处 24 nV/√Hz),适合低频传感器前端与仪表放大。
  • 高 CMRR(117 dB)提高共模误差抑制能力,利于共模干扰较大的系统。
  • 低电流消耗(Iq 约 350 μA)和较低输入偏置(15 nA),适合电池供电或低功耗仪表设计。
  • 受限于 1 MHz GBP 与 0.4 V/μs 的压摆率,不适宜高速或大电流瞬态跟随场合。

四、典型应用

  • 精密仪表放大、差分信号放大器、桥式传感器(压力、称重)前端。
  • 仪表放大器、低通/带通主动滤波器、缓冲和基准驱动。
  • ADC 驱动、微小信号测量与低噪声放大模块。

五、封装与引脚(参考)

  • 封装:MSOP-8,TRPBF(无铅卷带)
  • 典型引脚排列(参考,设计请以原厂数据表为准):
    1 OUT A | 2 -IN A | 3 +IN A | 4 V-(Vee)
    5 +IN B | 6 -IN B | 7 OUT B | 8 V+(Vcc)

六、设计与布局建议

  • 电源旁路:在每个电源引脚近端并联 0.1 μF(陶瓷)与 4.7–10 μF(钽或电解)以抑制高低频干扰。
  • 高阻节点:输入端若是高阻源,请使用守护环(guard ring)或低泄露 PCB 材料,降低泄漏带来的偏置误差。
  • 偏置与漂移:若需进一步降低失调,可采用外部偏置或后端校正;温度漂移在精密应用中不可忽视。
  • 布线:差分路径长度应匹配,输入与反馈网络靠近芯片引脚布局,避免长回路面积以减小干扰与寄生电容。
  • 频率与驱动:考虑 GBP 与 SR 限制,避免在高闭环增益下驱动大电容负载,必要时在输出加阻尼(如 50–100 Ω)或使用缓冲器。

七、订购信息与注意事项

  • 型号说明:LT1013DS8#TRPBF —— MSOP-8、无铅(Pb-free)、卷带包装。
  • 在最终设计与生产前,请务必参照 ADI 官方数据手册核实全部电气参数、引脚定义和封装尺寸,并进行温度与系统级验证。