型号:

PZTA92

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-223
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
PZTA92 产品实物图片
PZTA92 一小时发货
描述:三极管(晶体管) PZTA92 SC-73(SOT-223) PNP,Vceo=-30V,Ic=-200mmA
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.338
2500+
0.31
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)300V
耗散功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE)25@1mA,10V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)250nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV@20mA,2mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个PNP

PZTA92 产品概述

PZTA92 为一款PNP 小信号三极管,适用于中低功率开关与放大场合。器件由 CJ(江苏长电/长晶)生产,封装为 SOT-223(标注 SC-73/SOT-223),单只供货。其设计兼顾开关速度与电压耐受能力,适合在受限散热条件下进行信号放大、反相驱动与一般功率控制应用。

一、主要参数概览

  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极电流(Ic):200 mA(最大值)
  • 集—射极击穿电压(Vceo):-30 V(极性为PNP,推荐按绝对值理解)
  • 耗散功率(Pd):1 W(无额外散热时器件的最大耗散)
  • 直流电流增益(hFE):≈25(测试条件 Ic=1 mA, VCE=10 V)
  • 特征频率(fT):50 MHz(指高频增益带限特性)
  • 集电极截止电流(Icbo):≈250 nA(典型/最大漏电)
  • 集—射极饱和电压(VCE(sat)):约 500 mV(测试条件 Ic=20 mA, Ib=2 mA)
  • 射极—基极击穿电压(Vebo):5 V
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 数量:1 个

二、优势与特性

  • 良好的电压耐受性和中等电流能力,适合 30 V 级别电源系统的低功率开关与放大。
  • 中等增益与 50 MHz 的特征频率,使其在音频到中频范围内具有稳定放大性能。
  • 低集电极漏电(Icbo),在高温或阻断状态下漏电流受控,有利于电路静态功耗管理。
  • 封装散热相对可靠,SOT-223 兼顾体积与热性能,适用于 PCB 上有限的散热条件。

三、典型应用场景

  • 低至中功率开关:驱动小型继电器、LED 阵列或作为电平反相开关。
  • 信号放大:音频前级、小信号放大器、差分放大电路中的 PNP 侧元件。
  • 电源管理:用作线性调整与保护电路中的 PNP 元件(注意 Vebo 限制)。
  • 通用电子产品、仪器仪表与工业控制中需要 PNP 极性的小型功率器件场合。

四、封装与布局建议

  • 封装:SOT-223(用户资料中标注 SC-73/SOT-223),引脚排列与热垫需按厂方封装图核对。
  • 散热建议:Pd 标称为 1 W,在靠近或超出中等电流工况时建议在 PCB 上增加较大的铜箔散热区或使用热垫过孔,以降低结温并延长可靠性。
  • PCB 布局:集电极热垫尽量靠近散热区,走线短且宽;基极、射极走线宜加上适当的阻抗匹配与旁路元件以抑制振荡。

五、使用注意事项

  • Vebo(5 V)较低,基极—射极间不得承受过高反向电压,避免在基极侧施加过大的反向电压。
  • 饱和区工作时 VCE(sat) 约 0.5 V(在典型测试条件),在要求低压降的开关场合需评估功率损耗。
  • 热管理:在高 Ic 或连续导通情况下必须控制结温不超过最大额定值(最高工作温度 150 ℃)。
  • 静电与反向击穿保护:搬运和焊接时注意防静电;设计时考虑基极和集电极的保护二极管或限流元件以防瞬态冲击。

六、采购与替代选择

  • 品牌:CJ(江苏长电/长晶),可通过正规分销商或原厂渠道采购单只或小批量样品。
  • 如果设计要求不同的电压或增益等级,可考虑同系列的 PNP/ NPN 对应型号,或选用 hFE、Vceo 更高/更低的替代件,使用前务必比对关键参数(Vceo、Ic、Pd、Vebo、封装)。

注:本文基于所给参数整理,使用前请参考厂方数据手册以获得完整的电气特性曲线、引脚定义与封装机械图。