BSP372NH6327 产品概述

一、产品简介

BSP372NH6327 为英飞凌（Infineon）出品的 N 沟道场效应管，封装为 SOT-223-4，适用于中低功率开关和线性应用。器件额定漏源电压 100V，连续漏极电流 1.8A，兼顾较高电压耐受与适度电流能力，适合消费类电源、驱动及工业控制等场景。

二、主要参数

• 极性：N 沟道 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：100V
• 连续漏极电流 Id：1.8A
• 导通电阻 RDS(on)：230mΩ @ Vgs=10V, Id=1.8A
• 功耗耗散 Pd：1.8W（在规定散热条件下）
• 输入电容 Ciss：329pF @ 25V
• 反向传输电容 Crss：28pF @ 25V
• 工作温度范围：-55°C ~ +150°C
• 封装：SOT-223-4（适合小型 PCB 安装，便于散热）

三、器件特点与优势

• 100V 耐压可满足多数开关电源主开关或高侧/低侧开关需求。
• 230mΩ 的导通电阻在小电流条件下能保持较低导通损耗，配合同级别封装可实现简单可靠的功率处理。
• SOT-223-4 封装兼顾体积与散热，适合空间受限但需一定热耗散的应用。
• 适度的 Ciss/Crss 有利于开关速度可控，便于 EMI 管理与栅极驱动匹配。

四、典型应用

• 开关电源（隔离/非隔离）次级或辅助电路开关
• 电机小功率驱动、继电器/电磁阀驱动
• 线性稳压、电子负载限流及保护电路
• 家电控制、灯具驱动等中低电流场景

五、使用建议与注意事项

• 为保证 Pd 达到标称值需良好 PCB 散热设计，建议加大散热铜面并靠近散热孔布线。
• 在 Vgs=10V 驱动下 RDS(on) 数据有效；如驱动电压较低，应评估导通损耗增长及热失控风险。
• 开关应用中注意栅极驱动阻尼以控制过冲与振荡，必要时并联 TVS 或 RC 吸收网络抑制瞬态。
• 在高温环境下需考虑热降额，保证长期可靠性。

六、包装与选型提示

• 封装：SOT-223-4，适合手动焊接与中小批量自动贴装。
• 选型时结合实际电流峰值、频率与系统散热能力，比对 RDS(on) 与 Pd 以确定是否满足要求。

BSP372NH6327 以其 100V 耐压与适中导通阻抗，在需要体积小、散热可控的中低功率应用中表现均衡，是工程师进行功率管理与开关设计时的常用选择。