型号:

GAQW212G2E

品牌:SUPSiC(国晶微半导体)
封装:DIP-8
批次:25+
包装:袋装
重量:-
其他:
-
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产品参数
属性参数值
触点形式2A(双刀单掷-常开)
连续负载电流2A
负载电压60V
正向压降(Vf)1.2V
正向电流(If)7mA
导通电阻68mΩ
隔离电压(Vrms)5kV
导通时间(Ton)1.5ms
截止时间(Toff)50us
输入类型AC,DC
工作温度-40℃~+85℃
总功耗(Pd)650W

GAQW212G2E 产品概述

一、概述

GAQW212G2E 是 SUPSiC(国晶微半导体)推出的一款高可靠性双刀单掷(常开)器件,封装为 DIP-8,面向小功率开关和隔离控制场景。器件支持 AC 和 DC 输入驱动,具有高隔离电压和快速响应特性,适合对体积、隔离与开关性能有综合要求的应用。

二、主要技术参数

  • 触点形式:2A(双刀单掷——常开)
  • 连续负载电流:2 A
  • 负载电压:60 V(最大)
  • 正向压降 (Vf):1.2 V
  • 正向电流 (If):7 mA(典型驱动电流)
  • 导通电阻:68 mΩ
  • 隔离电压 (Vrms):5 kV
  • 导通时间 Ton:1.5 ms;截止时间 Toff:50 μs
  • 输入类型:AC / DC
  • 工作温度:-40 ℃ ~ +85 ℃
  • 总功耗 (Pd):650 W(标称,需按具体散热条件评估)
  • 封装:DIP-8
  • 品牌:SUPSiC(国晶微半导体)

三、关键特性解析

  • 低导通电阻(68 mΩ)和较低正向压降(1.2 V)有利于降低导通损耗,适用于 2 A 级别连续负载。
  • 隔离电压高达 5 kVrms,能提供良好的输入—输出电气隔离,适合需要高绝缘等级的控制接口。
  • 导通/截止响应特性兼顾了速度与稳定性:Ton 为 1.5 ms(上升相对较慢),Toff 仅 50 μs(关断迅速),在一些需要快速断开但允许较缓启动的场合表现良好。
  • 支持 AC 与 DC 输入,若为 LED 驱动式输入,典型驱动电流 7 mA,可直接由常见驱动源驱动。

四、典型应用场景

  • 工业控制接口、继电器替代、隔离控制模块
  • 小功率电源开关、保护线路、信号路由切换
  • 家电控制板、测试设备、通信终端的隔离开关
  • 需要高隔离且体积受限的模块化电路

五、封装与可靠性

DIP-8 封装利于手工焊接与线路板插装测试,适合样机验证与小批量生产。器件工作温度范围宽(-40 ℃~+85 ℃),在高温或功率接近极限时需做好散热与热结管理,特别注意总功耗标称值与实际 PCB 散热能力的匹配。

六、使用建议与注意事项

  • 不要超过 2 A 连续负载电流与 60 V 负载电压的额定值,考虑浪涌与瞬态保护。
  • 总功耗 650 W 为标称值,实际应用中应根据封装、PCB 铜箔和散热片设计进行热仿真与降额使用。
  • 对于感性负载建议并联 RC 母线吸收或 TVS 抑制器以限制反向峰值。
  • 输入驱动尽量稳定,若为 PWM 或脉冲信号,注意 Ton/Toff 对系统响应的影响。
  • 产品选型前建议参考器件完整数据手册与可靠性试验报告,结合实际电路做边界条件验证。

如需该型号的详细电气图、等效电路或在特定系统中的仿真建议,我可以根据您的应用场景提供进一步的设计支持。