型号:

GAQV212E

品牌:SUPSiC(国晶微半导体)
封装:DIP-6
批次:25+
包装:袋装
重量:-
其他:
-
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50+
3.55
产品参数
属性参数值
触点形式1A(单刀单掷-常开)
连续负载电流500mA
负载电压60V
正向压降(Vf)1.2V
正向电流(If)30mA
导通电阻
隔离电压(Vrms)5kV
导通时间(Ton)500us
截止时间(Toff)350us
输入类型AC,DC
工作温度-40℃~+85℃
总功耗(Pd)500mW

GAQV212E 产品概述

一、产品简介

GAQV212E 是国晶微半导体(SUPSiC)推出的一款高隔离、低导通阻抗的固态开关器件,封装为 DIP-6,触点形式为 1A(单刀单掷,常开)。器件集成了输入驱动与输出功率开关,适用于需要电气隔离的低压开关场合,既支持 AC 又支持 DC 控制信号。

二、主要技术参数

  • 触点形式:1A(单刀单掷,常开)
  • 连续负载电流:500 mA
  • 负载电压:最大 60 V
  • 导通电阻:典型 1 Ω
  • 正向压降(Vf):1.2 V(输入端)
  • 正向电流(If):30 mA(驱动)
  • 隔离电压(Vrms):5 kV(器件间高压隔离)
  • 导通时间(Ton):500 μs;截止时间(Toff):350 μs
  • 输入类型:AC / DC
  • 工作温度:-40 ℃ ~ +85 ℃
  • 总功耗(Pd):500 mW(器件内部最大允许热耗)
  • 封装:DIP-6

三、性能特点

  • 高绝缘性能:5 kVrms 隔离等级,适合信号与功率回路隔离保护。
  • 低导通阻抗:约 1 Ω,导通时压降小、发热低;在 500 mA 连续负载下器件耗散约 250 mW,低于额定 Pd(500 mW),有利于长时间稳定工作。
  • 支持 AC / DC 输入:输入端既可驱动直流控制,也能处理交流驱动信号,应用更灵活。
  • 响应速度中等:Ton ≈ 500 μs、Toff ≈ 350 μs,适用于开关频率不高的控制场合,非高频 PWM 或需严格瞬态响应的应用。
  • 无机械触点:无触点切换,无触点抖动与火花,寿命长、可靠性高,适合频繁切换场景。

四、典型应用场景

  • PCB 上的小电流电源切换与保护(传感器电源、外围模块上电控制)。
  • 工业控制中的信号隔离与负载驱动(继电器替代、隔离开关)。
  • 仪器仪表的远端开关控制与安全隔离。
  • 需要长寿命、无接触噪声的开关场合。

五、设计与使用建议

  • 输入驱动:若用 5 V 单片机直接驱动,推荐限流电阻 R ≈ (Vcc − Vf)/If,根据 If 最大 30 mA 可选 120–150 Ω;若追求更长寿命可降低 If 至 10–20 mA。
  • 热管理:器件 Pd 为 500 mW,连续 500 mA 负载下内部耗散约 250 mW,仍需注意 PCB 铜箔面积和散热路径,在高环境温度下建议适当降额使用。
  • 开关速率:Ton/Toff 在数百微秒量级,不适合需要毫微秒级响应或高频开关的场合。
  • 保护电路:若为感性负载,输出端应加合适的吸收或散逸措施以抑制反向尖峰;输入侧如接交流,注意方向与限流设计。
  • 焊接与存储:遵循 DIP 封装常规焊接规范,避免长时间高温回流,存储与使用环境应在额定温度范围内。

六、总结

GAQV212E 是一款面向中低压、低电流隔离开关应用的固态器件,具备高隔离电压、低导通阻抗与无触点长寿命等优点。适合在需电气隔离、无机械磨损且对切换速度要求不高的场合替代传统继电器或实现电路保护与控制。选择时应关注输入驱动电流、总功耗与散热条件,合理降额使用以确保长期可靠性。