GC4D10120A 产品概述

一、产品简介

GC4D10120A 是国晶微半导体（SUPSiC）推出的一款碳化硅（SiC）肖特基整流二极管，额定整流电流 33A、直流反向耐压 1200V。器件在高温和高电压环境下表现优异，适合用于开关电源、逆变器及高效率整流场合。

二、主要特性

• 额定整流电流：33A（连续）
• 正向压降（Vf）：典型 1.5V（在规定电流下）
• 直流反向耐压（Vr）：1200V
• 反向电流（Ir）：250μA @ 1200V
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：71A
• 工作结温范围：-55℃ ~ +175℃
• 封装：TO-220-2，便于散热与安装

三、电气与热特性

SiC肖特基结构带来低正向压降和极小的反向恢复电流，有助于减少开关损耗与EMI。高工作结温上限（175℃）提高了系统热裕度，但建议在长期运行中配合合适散热器以保证可靠性。非重复峰值浪涌电流 71A 能满足短时启动或故障电流需求。

四、典型应用

• 中高功率开关电源（PFC、整流级）
• 光伏逆变器、风电转换器
• 电机驱动与工业变频器
• 充电桩与电池管理系统中的高压整流

五、封装与安装

TO-220-2 封装兼顾经济性与散热性能，建议使用绝缘或非绝缘垫片与螺栓固定至合适散热片。装配时注意管脚绝缘及爬电距离，保证 1200V 运行安全。

六、选型要点与注意事项

• 若要求更低正向压降或更高电流，应比较其它SiC/Si器件的RthJA与Vf曲线。
• 在高频开关应用中，SiC肖特基可显著降低开关损耗，但需注意系统布局以抑制寄生电感造成的过冲。
• 长期高温工作时，应评估结温与寿命关系，并做好散热设计。

如需具体的V–A特性曲线、热阻与管脚排列图纸或样品测试数据，可向供应商索取详细数据手册。