型号:

BSS138L

品牌:ElecSuper(静芯微)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BSS138L 产品实物图片
BSS138L 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 50V 300mA 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存:
2490
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0485
3000+
0.0433
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)400mA
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V
耗散功率(Pd)417mW
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
栅极电荷量(Qg)650pC@4.5V
输入电容(Ciss)25pF
反向传输电容(Crss)2.2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)9.7pF

BSS138L 产品概述

一、产品简介

BSS138L 是由 ElecSuper(静芯微)提供的一款 N 沟道场效应管,采用 SOT-23 封装,面向小功率开关和信号级应用。器件耐压 60V,连续漏极电流可达 400mA,适合便携电子、接口电平搬移与低电流功率路径控制。

二、主要参数

  • 类型:N 沟道 MOSFET(SOT-23)
  • 漏源电压 Vdss:60V
  • 连续漏极电流 Id:400mA
  • 导通电阻 RDS(on):1.5Ω @ VGS=10V
  • 耗散功率 Pd:417mW(注意器件温升与 PCB 散热)
  • 阈值电压 VGS(th):1.0V @ ID=250µA
  • 总栅极电荷 Qg:650pC @ VGS=4.5V
  • 输入电容 Ciss:25pF,输出电容 Coss:9.7pF,反向传输电容 Crss:2.2pF
  • 工作温度:-55°C ~ +150°C

三、特性与工程意义

  • 中高耐压(60V)和中等电流能力(400mA),适合高压小电流场合。
  • 在 10V 驱动下 RDS(on) 为 1.5Ω,导通损耗可控;在低电压驱动时 RDS(on) 会显著上升,应根据实际 VGS 评估功耗。
  • 较大的栅极电荷(Qg=650pC)表明驱动栅极需要一定能量,若用于频繁开关或高频应用,应选用驱动器或增加驱动能力以降低开关损耗与延迟。
  • 小尺寸封装及适中电容值(Ciss/Coss/Crss)有利于降低寄生影响,但热阻与功耗限制需在 PCB 设计中考虑。

四、典型应用场景

  • 接口电平搬移与逻辑开关
  • 电池供电设备的低功耗断路/反向保护(限于中低电流)
  • 低频小功率开关、模拟开关或开机/备用电源管理
  • 作为保护元件与信号路由控制元件

五、使用建议与注意事项

  • 对于持续或间歇大电流应用,需保证良好 PCB 散热(加大铜箔、短路径到地平面),避免超过 Pd 约 417mW。
  • 若工作在低 VGS(如 3.3V 或更低),务必评估 RDS(on) 增加后的损耗;建议在可能时选用足够栅压或更低 RDS(on) 的替代器件。
  • 由于 Qg 较大,频繁开关时建议加入合适驱动(或串联栅阻)以控制振铃并减小 EMI。
  • 门极避免悬空,使用上拉/下拉电阻防止误触发。

BSS138L 在中高压、低功率场景表现稳健,适合对体积与成本敏感但需要可靠开关控制的设计。