BFP760H6327 产品概述

一、概述

BFP760H6327 是英飞凌（Infineon）推出的一款小功率 NPN 双极晶体管，采用 SOT-343 封装，面向高频放大与射频前端应用。器件以高截止频率和较高的直流电流增益为特点，同时体积小、封装紧凑，适合对功耗与占板面积有严格要求的移动通信及高频模块设计。

二、主要电气参数

• 晶体管类型：NPN
• 集电极电流 Ic（最大）：70 mA
• 集—射极击穿电压 Vceo：4 V（低电压器件）
• 耗散功率 Pd（参考）：240 mW（常温条件）
• 直流电流增益 hFE：160（典型，Ic=35 mA，Vce≈3 V）
• 特征频率 fT：45 GHz（高频性能优异）
• 集电极截止电流 Icbo：40 nA（低漏电）
• 发—基反向击穿电压 Vebo：1.2 V（需注意）
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SOT-343

三、性能亮点

• 高频性能：fT 高达 45 GHz，适合 VHF/UHF 及更高频段的宽带放大器、混频器或振荡器前端。
• 高增益：在中等偏流（如 35 mA）下提供较高 hFE，利于降低偏置电流或减小驱动级复杂度。
• 低漏电：Icbo 约 40 nA，有利于在高温或偏置断态下保持低漏流。
• 小尺寸低功耗：SOT-343 封装与 240 mW 的耗散规格适合空间受限、低功耗设计。

四、应用场景

• 射频小信号放大器（低噪声放大器前端及中级放大）
• 宽带缓冲放大器、驱动级
• 高频振荡器与混频电路
• 通信模块、射频开关驱动或其他低电压、小功率场合

五、使用与热管理建议

• 低 Vceo（4 V）：器件不适合高压环境，设计时注意电源与信号摆幅不要超过器件极限。
• Vebo 仅 1.2 V：发—基反向耐压较低，禁止在反向条件下超过该值；在电路中建议加入保护电阻或钳位电路，以避免 E-B 反向压降损坏。
• 耗散功率与热降额：Pd 标称 240 mW（常温），实际允许耗散受 PCB 散热与环境温度影响，应参考数据手册中的热阻与降额曲线进行设计，并适当预留裕量。
• 布局注意：用于高频电路时，保持基极-发射极接地回路短且低阻抗，射频走线尽量短并使用良好接地层以降低寄生电感与电容对带宽的影响。

六、典型偏置与可靠性提示

• 建议工作电流：为兼顾线性与效率，推荐在中小电流区间（例如数 mA 到 ~35 mA）工作以获得稳定的 hFE 与较低失真；70 mA 为器件极限值，应避免长期满载。
• 保护措施：在输入或输出侧可增加限流电阻、耦合电容或二极管钳位，防止瞬态或反向电压超标。
• 温度与可靠性：工作时避免频繁超过规定结温，长期可靠性设计应参考英飞凌提供的完整可靠性数据与应力测试结果。

总体而言，BFP760H6327 适用于低电压、小功耗、高频场合的射频与宽带放大需求，但在电压及反向击穿方面需谨慎设计保护与偏置，以充分发挥其高频增益优势并保证长期稳定运行。