型号:

PUSB3FR4Z

品牌:DOWO(东沃)
封装:DFN2510-10L
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
PUSB3FR4Z 产品实物图片
PUSB3FR4Z 一小时发货
描述:瞬态抑制二极管
库存数量
库存:
2764
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.172
3000+
0.153
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)120W@8/20us
击穿电压4V
反向电流(Ir)1uA
通道数四路
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
Cj-结电容0.5pF

PUSB3FR4Z 产品概述

一、产品简介

PUSB3FR4Z 是东沃(DOWO)推出的一款四路单向瞬态抑制二极管(TVS),专为高速接口和低电压电路提供浪涌与静电放电保护。器件采用紧凑的 DFN2510-10L 封装,集成四通道保护,适合尺寸受限的板级防护设计,特别贴合 USB3.x 等高速差分信号线的保护需求。

二、主要特性

  • 极性:单向,适用于需要极性限制的低压信号端口。
  • 低结电容:典型 Cj = 0.5 pF,能最大限度降低对高速差分信号(如 USB3.0/3.1/3.2)的带宽影响。
  • 低漏电流:反向漏电流 Ir ≈ 1 μA(常温),利于节能与待机场景。
  • 高频响应:瞬态抑制响应快速,能有效吸收 ESD、EFT 与浪涌能量。
  • 强脉冲能力:峰值脉冲电流 Ipp = 8 A @ 8/20 μs,对应峰值脉冲功率 Ppp = 120 W(8/20 μs),钳位电压 Vc ≈ 15 V(典型)。
  • 工作电压:反向截止电压 Vrwm = 3.3 V,击穿电压约 4 V,适合 3.3 V 及以下信号域保护。
  • 国际级耐受:符合 IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)与 IEC 61000-4-5(浪涌)相关要求。

三、电气参数(关键)

  • Vrwm:3.3 V
  • 击穿电压(典型):4 V
  • 钳位电压(8/20 μs):15 V
  • 峰值脉冲电流 Ipp(8/20 μs):8 A
  • 峰值脉冲功率 Ppp(8/20 μs):120 W
  • 反向电流 Ir:1 μA
  • 结电容 Cj:0.5 pF
  • 通道数:4 路
  • 封装:DFN2510-10L

四、典型应用

  • USB3.x SuperSpeed 差分对及相关控制线保护(Type‑A/Type‑C 接口防护)。
  • 高速数据接口:PCIe、HDMI、DisplayPort 等需要低电容保护的高速信号线。
  • 消费电子:笔记本、平板、智能手机扩展口与外设接口保护。
  • 网络与通信设备:路由器、交换机、基站边缘接口防护场合。
  • 工业与汽车电子(符合相应 EMC 规范场景下的端口防护)。

五、设计与使用建议

  • 布局:将 PUSB3FR4Z 尽量靠近被保护的连接器放置,信号线到器件的引线应尽可能短且对称,避免引入环路。
  • 接地:确保器件公共地端有低阻抗回流路径,良好地平面有助于能量快速分散。
  • 功能划分:四路通道可直接对应两对差分信号或为控制/电源线提供额外通道,使用前根据被保护线路电压与允许钳位电压进行评估。
  • 热管理:在高能量冲击或密集浪涌环境中,需考虑周边铜箔面积与散热条件以避免器件过热。
  • 选型注意:若需对 VBUS(例如 USB 5V)做更强保护,应评估器件钳位后对下游器件的冲击,必要时选择专用大功率 TVS 或并联方案。

PUSB3FR4Z 以其低电容、高速响应与高能量吸收能力,适合对高速差分信号线进行高可靠性的板级防护,是追求体积小、性能高的接口保护设计的理想选择。