ESD5451X 产品概述

一、产品简介

ESD5451X 是 DOWO（东沃）推出的一款单路双向瞬态浪涌抑制器，专为对敏感电子接口在静电放电（ESD）和雷击浪涌冲击下提供保护而设计。器件采用小型 DFN1006-2L 封装，具有低结电容和高能量吸收能力，适用于空间受限且对信号完整性有要求的应用场景。

二、主要特性

• 极性：双向，支持正负极瞬态抑制。
• 工作反向截止电压（Vrwm）：5 V，适合 5 V 类信号线与接口保护。
• 钳位电压：13 V（典型），在峰值脉冲时有效限制电压幅值。
• 峰值脉冲电流（Ipp）：8 A @ 8/20 μs。
• 峰值脉冲功率（Ppp）：100 W @ 8/20 μs，能量吸收能力强。
• 击穿电压：6.5 V。
• 反向电流（Ir）：≤ 500 nA（典型测试条件未注明时参照厂方标准）。
• 结电容（Cj）：15 pF，兼顾保护与高速信号传输。
• 通道数：单路。
• 防护等级与标准：符合 IEC 61000-4-5（浪涌）与 IEC 61000-4-2（静电放电）要求。

三、典型应用

• USB、串行通讯接口（如 UART、RS-232/RS-485）及其他 5 V 信号线保护。
• 移动设备、物联网终端、消费电子与工业控制器的小尺寸防护设计。
• PCB 边缘 I/O、天线馈线前端或需要双向保护的低压互连。

四、主要技术参数（摘要）

• 品牌：DOWO（东沃）
• 型号：ESD5451X
• 封装：DFN1006-2L（小型贴片）
• Vrwm：5 V；击穿电压：6.5 V；钳位电压：13 V
• Ipp：8 A @ 8/20 μs；Ppp：100 W @ 8/20 μs
• Ir：500 nA；Cj：15 pF；通道数：1 路；极性：双向

五、封装与布局建议

DFN1006-2L 封装体积小，推荐将器件尽量靠近被保护的接口（或连接器）布置，最短路径连接至接地平面。保持走线短且宽，避免在器件与地之间存在长回流路径，以便在瞬态事件发生时快速将能量引入地线。

六、使用注意事项与可靠性

• 不要超过规定的脉冲电流与功率峰值，以免器件损坏。
• 反向电流与结电容会随温度与偏压变化，设计时应考虑最差工况。
• 焊接建议遵循厂方的回流曲线与湿敏等级，避免热应力影响可靠性。
• 对于极高频或对超低电容有严格要求的接口，应评估 15 pF 对信号完整性的影响。

七、结论

ESD5451X 以其双向保护、较低结电容与较高瞬态吸收能力，为 5 V 级别的接口与信号线提供可靠防护。小体积 DFN1006-2L 封装适合空间受限的应用，是手机、物联网、工业与消费电子设备中常见的静电与浪涌防护方案。若需更详细的典型曲线、封装图与焊接资料，请参照厂商完整数据手册或联系 DOWO（东沃）技术支持。