SMBJ30A 产品概述

一、产品简介

SMBJ30A 是 DOWO（东沃）系列的单向瞬态抑制二极管（TVS），采用 SMB（DO-214AA）封装，专为抑制浪涌和静电放电（ESD）、保护电子电路免受短时高能瞬态脉冲损害而设计。该器件在反向工作状态下具有稳定的钳位特性和极低的反向漏电流，适用于工业电源、通信接口和各种包含感性负载的系统保护。

二、主要参数

• 极性：单向（Unidirectional）
• 反向工作电压 (VRWM)：30 V
• 击穿电压 VBR(min)：33.3 V
• 钳位电压 VC：48.4 V @ IPP = 12.4 A
• 峰值脉冲电流 IPP：12.4 A（10/1000 μs）
• 峰值脉冲功率 PPP：600 W @ 10/1000 μs
• 反向漏电流 IR：1 μA
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：SMB (DO-214AA)
• 器件类型：TVS 瞬态抑制二极管

三、关键特性

• 高能量吸收能力：在 10/1000 μs 波形下可承受 600 W 峰值功率，适合抑制较长脉冲宽度的浪涌事件。
• 有效钳位：在规定峰值脉冲电流下钳位电压 48.4 V，能将瞬态电压限制在安全范围内，保护后端器件。
• 低漏电流：典型反向漏电流仅 1 μA，在静态工作或待机状态下对电路影响小。
• 宽温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃，可用于恶劣环境和高温场景。
• SMB 封装：机械强度好，适合自动贴片和波峰/回流焊工艺，便于大批量生产装配。

四、典型应用场景

• 24 V 工业电源总线保护（PLC、电磁阀驱动等）。
• 通信接口和数据线浪涌保护（串口、以太网防护需结合差分保护考虑）。
• 电机驱动及继电器线圈回路的浪涌抑制。
• 配电箱、仪表及传感器输入端的过电压防护。
• 其他需要单向瞬态抑制且工作电压接近 30 V 的电子系统。

五、使用建议与 PCB 布局

• 选择合适的 VRWM：确保 VRWM（30 V）高于电路正常工作电压的最大值，但不宜过高，以保证在浪涌时能及时触发钳位。对于标准 24 V 系统，SMBJ30A 是合适的选择。
• 放置位置：将 TVS 尽量靠近需要保护的接口或器件放置，减少寄生电感和走线长度。
• 焊盘与散热：SMB 封装需要可靠焊接与适当的铜箔面积以便散热。在高能冲击时器件会产生热量，合理的 PCB 散热有助于提升耐受能力。
• 并联/串联注意：频繁或高能量的脉冲建议使用更高 Ppp 等级或并联多个器件，但并联时需保证电气特性匹配；切忌将 TVS 作为连续导通元件使用，长期过流会损坏器件。

六、注意事项与可靠性

• 非连续能量吸收器件：Ppp（600 W）为脉冲能量指标，适用于瞬态冲击，不应作为持续短路或限流保护。
• 环境与老化：尽管工作温度范围宽，但极端温度与长期高温工况会影响寿命与一致性，建议在设计时预留余量。
• 认证需求：若用于汽车电子或航空等需认证场景，请确认器件是否满足相关行业资质（如 AEC-Q 等），或联系供应商获取合规型号与测试报告。
• 储存与回流：遵循常规焊接温度限制和静电防护要求，避免潮湿环境长期储存导致降级。

七、封装与采购信息

• 品牌：DOWO（东沃）
• 型号示例：SMBJ30A
• 封装：SMB (DO-214AA)，适用于自动贴片生产。
  如需更详细的电气曲线、脉冲浪涌测试波形、封装尺寸图或可靠性测试报告，建议向 DOWO 厂家或授权分销商索取完整数据手册（Datasheet）以便在具体设计中参考并验证。