BSD3C301V 产品概述

一、产品简介

BSD3C301V 是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，面向电磁兼容（EMC）与静电放电（ESD）保护场景设计。器件由 BORN（伯恩半导体）推出，采用小型 SOD-323 表面贴装封装，适合在空间受限的消费电子、通信和工业接口电路中做过压/浪涌保护。

二、主要参数

• 极性：双向
• 反向截止电压 Vrwm：30 V
• 击穿电压（标称）：32 V
• 钳位电压（浪涌时）：60 V
• 峰值脉冲电流 Ipp：9 A（8/20 μs 波形）
• 峰值脉冲功率 Ppp：350 W（8/20 μs 波形）
• 反向电流 Ir：500 nA（典型/最大值，环境温度及测试电压见数据手册）
• 结电容 Cj：15 pF（对高速信号影响较小）
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）、IEC 61000-4-5（浪涌）

三、典型应用

适用于需双向保护的信号线与供电线，如：

• 通信接口：RS-485、CAN、UART、GPIO 保护
• 数据接口：USB、HDMI（辅助线路）、低速差分对
• 工业与消费类设备：传感器接口、开关量输入、继电器驱动端口
  器件的 15 pF 结电容在大多数低速与中速信号线上对信号完整性的影响有限。

四、封装与布局建议

SOD-323 封装体积小，便于贴片自动化生产。布局建议：

• TVS 近源端放置，保护点与被保护引脚之间走短、粗的接线，以降低感抗和提升响应速度。
• 对于高能脉冲，建议在器件接地处增加铜箔面积或热过孔以提升散热能力。
• 在高速差分线应用中，应注意并联结电容对阻抗的影响，必要时评估差分插入损耗。

五、可靠性与选型要点

在选型时应确认被保护电路的最大工作电压不超过 Vrwm（30 V），并考虑浪涌事件的能量是否在器件的 Ppp 与 Ipp 能承受范围内。环境温度升高会增加漏电流并影响击穿特性，关键应用建议参照厂商完整数据手册与热阻曲线进行热评估。

六、典型电路与应用提示

• 在双向保护中，BSD3C301V 可直接并联在需保护的两端与地之间（或相对线间），实现正负极对称夹断。
• 对于长线或高感抗路径，可配合串联限流电阻或熔断器提高系统整体耐受能力。
• 设计 EMC 时，配合滤波器与共模电感可以提升对重复脉冲与共模干扰的抑制效果。

七、合规与采购

BSD3C301V 满足常见 IEC 抗扰度标准（61000-4-2、4-4、4-5），适合需要认证的产品线路。采购时请确认制造批次与封装完整性，必要时索取详细数据手册与样片进行性能验证。