BDFN2C121V 产品概述

一、概述

BDFN2C121V 是 BORN（伯恩半导体）推出的一款小封装单路 TVS 静电/浪涌保护器件，专为 12V 工况下的瞬态过电压保护设计。器件在极小的 DFN1006-2L 封装内提供高效的浪涌吸收能力，适用于对空间、信号完整性及抗干扰要求较高的应用场景。

二、主要特性

• 标称反向截止电压 Vrwm：12V（适配 12V 电源总线）
• 钳位电压 Vclamp：26V（在脉冲条件下有效限制过电压峰值）
• 峰值脉冲电流 Ipp：5A @ 8/20µs
• 峰值脉冲功率 Ppp：150W @ 8/20µs
• 击穿电压 Vbr：13.3V（典型）
• 反向漏电流 Ir：200nA（常温条件下）
• 结电容 Cj：11pF（对信号完整性影响较小）
• 通道数：单路；防护等级符合 IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61000-4-2

三、典型电气性能说明

该器件在 8/20µs 标准浪涌脉冲下能承受 5A 的峰值电流并吸收 150W 的瞬时能量，钳位电压 26V 能有效抑制对后端电路的高压冲击。较低的结电容（11pF）使其在保护同时对高速信号干扰较小，适合对信号路径和电源线联合保护的场景。

四、封装与热性能

小型 DFN1006-2L 封装占板面积小，寄生电感低，利于快速响应瞬态事件。尽管体积小，但应重视焊盘和散热过孔设计以提高脉冲能量承受能力与重复冲击可靠性。

五、典型应用场景

• 12V 电源线保护（消费电子、工业电源模块）
• 汽车电子子系统（车内通信与传感器接口，需确认 AEC 等级）
• 工业控制与楼宇自动化接口（EFT、雷击浪涌防护）
• 数字接口与混合信号板上防护（在允许的结电容范围内）

六、设计与布板注意事项

• 器件应尽量靠近被保护端口安放，减小走线电感与回流路径长度；
• 对于高能脉冲建议在保护器与地之间设置低阻抗短回路并增大焊盘和铜厚以利散热；
• 若用于高速差分信号，需评估 11pF 对信号带宽的影响，必要时采用并联阻抗或滤波配合；
• 对于重复或大能量冲击场合，结合纵向防护器件（如温度或电流限制元件）提升系统可靠性。

七、合规与可靠性

BDFN2C121V 已通过 IEC 61000 系列抗扰度标准验证（ESD、EFT、浪涌），适合对电磁兼容性有严格要求的设计。最终选型时建议参考完整数据手册以确认工作方向（单向/双向）、温度特性及长期鲁棒性测试结果。

如需器件原理图接法、参考 PCB 尺寸模板或具体应用的仿真数据，我可以进一步提供建议与设计范例。