PESD5Z5.0-N 产品概述

一、产品简介

PESD5Z5.0-N 是伯恩半导体（BORN）推出的一款单向瞬态抑制二极管，封装为 SOD-523，专为对抗静电放电（ESD）和浪涌脉冲设计。器件符合 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5 等国际抗扰标准，适用于手机接口、USB、串口、键盘/鼠标和各类低压信号线的瞬态保护。

二、主要性能指标

• 极性：单向
• 反向截止电压 Vrwm：5 V
• 击穿电压（典型）：6 V
• 峰值脉冲电流 Ipp：15 A（8/20µs）
• 峰值脉冲功率 Ppp：250 W @ 8/20µs
• 钳位电压：典型 VC ≈ 13 V，最大可达 18 V（取决于测试条件）
• 反向漏电流 Ir：≤ 500 nA（在 Vrwm 条件下）
• 结电容 Cj：约 80 pF（典型值）
• 封装：SOD-523（适配高密度贴装）

三、功能与适用场景

PESD5Z5.0-N 能在瞬态事件发生时迅速导通，将能量钳制到安全电平，保护后端敏感器件。由于 Vrwm 为 5 V，适合保护 5 V 电源轨及常见逻辑接口。结电容约 80 pF，使其更适合用于控制信号、供电线和低速通信接口；对超高速差分信号（如 USB3.0、HDMI 高速对）则需评估对信号完整性的影响。

四、封装与布局建议

SOD-523 小体积封装适合空间受限的移动设备与板上保护。布局建议：

• 将器件放置在受保护引脚与外部连接器之间，尽量靠近接口引脚（1–2 mm）以减小引线电感；
• 接地端应有低阻抗接地平面和短、粗的回流路径，必要时在地线上增设过孔；
• 与滤波元件并用时，优先在外侧放置 TVS，滤波器在后，避免影响钳位路径。

五、可靠性与设计注意事项

• 在 8/20µs 波形下器件能承受 15 A 峰值电流与 250 W 峰值功率，但仍需留有安全裕量；
• 钳位电压存在典型与最大值差别，关键应用务必按最大钳位电压评估后端器件耐压；
• 结电容较大时会影响交流信号质量，差分或高速信号保护应优先选择低容型 TVS 或结合端接/滤波方案。

六、优点总结

• 小型封装，适合高密度 PCB 布局；
• 针对 5 V 系统优化的 Vrwm 和低漏电，减少静态功耗；
• 符合多项 IEC 抗扰标准，抗 ESD 与雷击浪涌能力强；
• 安装便捷，适配自动贴装工艺。

PESD5Z5.0-N 在需要在有限空间内对 5 V 电源与常规 I/O 口提供可靠瞬态保护时，是一种平衡了体积、性能与成本的实用选择。使用时请结合系统电压、允许的最大钳位和信号带宽综合评估。