C3225X7R1H335KT000N 产品概述

一、产品简介

TDK C3225X7R1H335KT000N 为多层陶瓷贴片电容（MLCC），标称容量 3.3μF，容差 ±10%（K），额定电压 50V，温度特性 X7R，常见封装为 1210（公制 3225，约 3.2×2.5mm）。属于 X7R 类 II 电介质，兼顾容值密度与体积、适用于电源去耦与储能场合。

二、主要参数与性能要点

• 容量：3.3μF ±10%（标称）
• 额定电压：50V DC
• 温度系数：X7R（-55°C 至 +125°C 范围内容值变化在规范范围内）
• 封装：1210 / 3225 SMT，适合自动贴装生产
• 极性：无极性，便于两端互换使用
• 特性：体积小、低寄生电感、相对较低 ESR，适合高频并联去耦和电源旁路

注意：X7R 为二类介质，容值受温度、偏压和老化影响，尤其在高直流偏压时容量会下降，设计时应考虑实际工作条件下的有效容量。

三、典型应用场景

• 开关电源输入/输出侧旁路与稳压器去耦
• 数字电路高频去耦与瞬态能量储备
• 模拟电源滤波与耦合（非精密定时）
• 工业、通信、消费类电子等需中等容量密度的场合

四、设计与布局建议

• 放置在被去耦器件的电源引脚附近，尽量缩短走线与焊盘尺寸以降低寄生电感。
• 对关键电源轨，建议并联不同容值的 MLCC（如与 0.1μF/1μF 搭配）以覆盖更宽频率范围。
• 对于对容量稳定性有高要求的设计，考虑对额定电压进行降额（建议在关键电路中按经验降额或做实际 DC bias 测试）。

五、可靠性与焊接、储存建议

• 推荐按 J-STD-020 回流焊工艺，注意基板夹具与热爬移问题；峰值回流温度与时间应符合器件规定。
• 储存时防潮、防机械应力，避免在贴片后长时间暴露于高温高湿环境。
• X7R 有老化现象（随时间容量轻微下降），在计量敏感场合应预留裕量或进行封装前老化测试。

六、选型注意事项

选择时关注实际工作电压下的直流偏压曲线（DC bias）和温度曲线，必要时参考 TDK 官方数据手册或样片测试数据，以确保实际有效容量满足系统要求。对于要求极稳定电容值的应用，建议选用 C0G/NP0 类陶瓷或薄膜电容。