C5750X5R1C476MT000N 产品概述

一、主要参数与概述

TDK 型号 C5750X5R1C476MT000N 是一款高容量多层陶瓷贴片电容（MLCC），规格关键参数如下：

• 标称电容：47 µF
• 容差：±20%
• 额定电压：16 V DC
• 温度特性：X5R（工作温度范围及温度特性符合 X5R 体系）
• 封装：2220（约 5.7 mm × 5.0 mm 尺寸级别）
  该器件以 X5R 陶瓷介质实现较大体积下的高电容量，适合电源去耦、储能与旁路等场合，兼顾频段响应与体积成本。为大多数消费类与工业电源板级应用提供稳定的旁路/滤波支持。

二、性能特点

• 高电容量密度：在 2220 封装中实现 47 µF 的容量，适合需要较大旁路或储能容量的电源节点。
• 低等效串联电阻（ESR）与低等效串联电感（ESL）：相比电解电容或钽电容，MLCC 在高频段具有更好的旁路特性，能有效抑制高频噪声与瞬态尖峰。
• X5R 温度特性：X5R 介质在 -55°C 至 +85°C 范围内电容变化相对受控（X5R 标准下的温度特性），适合多数通用电子环境。
• 注意：在实际工作电压下，尤其接近额定电压时，陶瓷电容会产生显著的直流偏压（DC bias）效应，实际工作电容可能比标称值低。设计时应参考器件的电容-电压曲线，预留足够裕量。

三、典型应用场景

• 开关稳压器的输出旁路 / 储能电容（DC-DC 输出端）
• 微处理器、FPGA、ASIC 等电源平面去耦和瞬态供电支持
• 汽车电子（非关键安全子系统）与工业电子的电源滤波（需核查温度与可靠性要求）
• 消费类产品的滤波与能量缓冲，如智能手机、平板、机顶盒等对体积和高频性能有要求的产品

四、设计与布板建议

• 布局尽量靠近被去耦器件的电源脚，走线和焊盘尽量短且宽，以减小串联电感和寄生电阻。
• 对于高容值 MLCC，注意与稳压器搭配时的 DC bias 降容效应，若要求在额定电压下保持有效容量，可选更大标称值或并联多个电容。
• 推荐并联不同容量/介质的电容组合（如 47 µF 与若干小容量低电感 MLCC）以获得宽频带的滤波效果：大容量负责低频储能，小容量负责高频去耦。
• 焊接工艺使用符合 IC 包装/PCB 的回流曲线，遵循制造商的回流温度与时间建议，避免过高温度与重复热循环导致性能退化或裂纹。

五、可靠性与封装、工艺注意事项

• MLCC 对机械应力（焊接冷却收缩、PCB 弯曲）敏感，尤其大尺寸/大容量件更易发生微裂纹，设计时需考虑器件周边的焊盘结构与应力缓解（如增加过孔或改变焊盘过渡）。
• 器件通常采用无铅可回流焊接表面处理并符合 RoHS 要求；实际使用前建议确认供应批次的合规性文件。
• 存储与贴片前处理：若为吸湿敏感器件，应遵循厂方的干燥包装与贴装前预烘烤要求，避免回流时焊接缺陷。

六、选型与替代建议

• 若应用对温度稳定性要求更高或需更小的电容偏移，可考虑 C0G/NP0（但这类介质难以在小尺寸获得 47 µF）；若对低频储能有较高要求，也可考虑与电解或固态电容并联以补足低频性能。
• 选型时务必参考 TDK 官方数据手册中的电容-电压特性、频率响应、等效串联电阻/电感与最大允许纹波电流等曲线，以确保在目标工作点满足系统需求。

如需进一步资料（电容随 DC-bias、温度和频率的曲线、ESR/ESL 数据或回流/存储处理规范），建议索取 TDK 官方数据手册与可靠性报告以完成最终选型与可靠性验证。