SIRS5800DP-T1-GE3 产品概述

一、简介

SIRS5800DP-T1-GE3 为 VISHAY（威世）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 80V，连续漏极电流高达 265A，专为高密度电源转换与同步整流应用设计。采用 PowerPAK SO-8 表面贴装封装，兼顾低导通损耗与良好散热性能，适合服务器、电信电源、点焊/电机驱动及汽车电子等场合。

二、关键电气参数

• 漏源电压 Vdss：80 V
• 连续漏极电流 Id：265 A
• 导通电阻 RDS(on)：1.8 mΩ @ Vgs = 10 V
• 阈值电压 Vgs(th)：4 V @ 250 μA
• 总栅极电荷 Qg：122 nC @ Vgs = 10 V
• 输入电容 Ciss：6.19 nF；输出电容 Coss：1.635 nF；反向传输电容 Crss：16 pF
• 功耗 Pd：240 W（注意实际散热依赖 PCB 设计与冷却措施）
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃

三、主要特点与优势

• 低导通电阻（1.8 mΩ）在高电流工况下显著降低导通损耗，提高转换效率。
• 高额定电流与高功耗承载能力，适用于大电流、短时冲击较大的系统。
• PowerPAK SO-8S 封装提供较短的电流路径与低热阻，便于实现紧凑的板级热管理和高频开关性能。
• 电容与栅极电荷参数说明在设计驱动电路时需选用足够驱动能力的栅极驱动器，以兼顾开关损耗与开关速度。

四、应用建议与注意事项

• 推荐的驱动电压为 10–12 V 以获得标称 RDS(on)；栅极电荷 122 nC 表明需要较强驱动能力或适当的栅极驱动电流与阻尼。
• 仅凭封装和标称 Pd 不能保证实际散热，建议在 PCB 上使用合适的散热铜箔、过孔和底部散热焊盘，并结合热仿真评估结壳温升。
• 在高 dV/dt 场合考虑添加栅极电阻与吸收器件以抑制振荡并保护器件免受浪涌损伤。
• 设计时参考器件的 SOA（安全工作区）与开启/关断能量，避免长期在极限条件下工作以延长寿命。

五、典型应用场景

• 同步整流 DC–DC 转换器、高效点对点电源模块
• 服务器与电信电源前端、负载开关与逆变器
• 无刷直流电机驱动、工业电源与功率管理系统

如需进一步的封装图、引脚配置、热阻数据或典型特性曲线，请参考 VISHAY 官方数据手册或联系供应商获取完整技术资料。