型号:

TTR5MF

品牌:MDD
封装:TTF
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
TTR5MF 产品实物图片
TTR5MF 一小时发货
描述:整流桥 1.1V@5A 1kV 5uA@1kV 5A TTF
库存数量
库存:
4650
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.8888
3000+
0.825
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)1.1V@5A
直流反向耐压(Vr)1kV
整流电流5A
反向电流(Ir)5uA@1kV
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)180A
工作结温范围-55℃~+150℃
类型单相整流

TTR5MF(MDD)——5A/1kV 单相整流桥产品概述

一、产品概述

TTR5MF 是 MDD 推出的高压单相整流桥,额定整流电流为 5A,单个器件即可完成交流到直流的整流功能。器件在 5A 工作点的典型正向压降为 1.1V(Vf @ 5A),直流反向耐压达到 1kV(Vr),在高压应用中具有良好的阻断能力和稳定的直流输出特性。封装为 TTF,适合标准电路板安装并利于散热设计。

二、主要电气参数

  • 额定整流电流:5A(连续)
  • 正向压降:1.1V @ 5A(典型)
  • 直流反向耐压:1kV(Vr)
  • 反向漏电流:≤5μA @ 1kV(Ir)
  • 非重复峰值浪涌电流:180A(Ifsm,典型按半波浪涌测量)
  • 工作结温范围:-55℃ ~ +150℃
  • 类型:单相整流桥(桥堆)

三、关键优势

  • 高压阻断性能良好:1kV 的耐压使其适用于高压整流与隔离输入场合。
  • 低正向压降:1.1V @5A 有助于降低整流损耗和发热,提高效率。
  • 低反向漏流:5μA @1kV 在高压系统中能有效降低静态功耗与热耗散。
  • 强浪涌承受能力:180A 的单次浪涌容忍能力可应对启动或短时冲击电流。
  • 宽温度范围:适应工业级和严苛环境的热稳定性。

四、典型应用场景

  • 高压整流电源(如 HV DC supply)
  • 开关电源的输入整流与预整流器
  • 工业电源、充电设备与电机驱动的高压输入端
  • LED 驱动及高压照明电源
  • 安防、电力电子和逆变器的整流前端

五、设计与热管理建议

  • 热管理:尽管 Vf 较低,但在 5A 连续工作下仍需良好散热,建议在 PCB 上提供充足铜箔、热过孔或金属散热片以降低结温并延长寿命。
  • 浪涌保护:配合合适的慢熔断器或压敏电阻(MOV)以缓解偶发浪涌和浪涌功率应力。
  • 降额运行:在高环境温度或连续高负载场合考虑电流降额,以控制结温在安全范围内。
  • EMI 与滤波:整流后端并联合适电容与滤波网络,以控制纹波和抑制开关噪声。

六、可靠性与使用注意

  • 反向漏流随温度快速上升,高温环境下应重点评估漏流对系统的影响。
  • 非重复浪涌 Ifsm 为短时承受能力,反复冲击会加速器件老化,设计时应避免频繁超过额定浪涌。
  • 储存与焊接按通用半导体规范执行,避免高温湿度和机械应力对封装产生影响。

七、封装与采购建议

  • 封装:TTF,适合常规安装工艺,便于手工或自动化装配并利于热传导。
  • 选型建议:在选用时核对实际工作电压、最大瞬态冲击、环境温度与散热条件;若系统存在更高浪涌或更低漏流需求,可考虑更高规格或特殊工艺器件。
  • 品牌与支持:MDD 提供的 TTR5MF 适合需要高压、5A 连续整流且要求可靠性的工业与电源类设计。

如需进一步的电气特性曲线(Vf–I、Ir–Vr–T、热阻θJA/θJC)或封装引脚图与推荐 PCB 尺寸,请提供需求,我可以基于器件典型规范给出更详尽的设计资料与布板建议。