型号:

SD24C

品牌:MDD
封装:SOD-323
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SD24C 产品实物图片
SD24C 一小时发货
描述:ESD二极管 SD24C 2H SOD-323 双向
库存数量
库存:
4600
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.1309
3000+
0.1155
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)24V
钳位电压52V
峰值脉冲电流(Ipp)7A
峰值脉冲功率(Ppp)350W
击穿电压26.7V
反向电流(Ir)1uA
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-2;IEC 61000-4-4
类型ESD
Cj-结电容50pF

SD24C — MDD 双向ESD二极管(SOD-323封装)产品概述

一、产品简介

SD24C 是 MDD 公司推出的一款双向瞬态抑制二极管(ESD Diode),封装为小型 SOD-323,专为保护敏感电子接口免受静电放电(ESD)和脉冲瞬态干扰而设计。其工作反向截止电压(Vrwm)为 24V,击穿电压约 26.7V,具有快速钳位特性与低漏电流,适用于I/O 端口、通信接口及小型电子设备的浪涌保护。

二、主要参数(典型)

  • 极性:双向
  • 反向截止电压 Vrwm:24 V
  • 击穿电压:26.7 V
  • 钳位电压 Vc(对应峰值脉冲):52 V
  • 峰值脉冲电流 Ipp:7 A(在规定脉冲条件下)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:350 W(在规定脉冲条件下,应参考厂方脉冲波形说明)
  • 反向电流 Ir:1 μA(在 Vrwm 条件下)
  • 结电容 Cj:50 pF(典型值)
  • 工作温度:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2(ESD)与 IEC 61000-4-4(快速瞬变脉冲/ EFT)测试要求
  • 封装:SOD-323(小型表面贴装)

三、功能与特点

  • 双向保护:可同时对正负极性瞬态干扰进行钳制,无需外加极性判断电路,适合信号线为交流或双向传输的场合。
  • 快速响应:针对静电瞬态具有快速钳位能力,能迅速将过电压钳制到安全水平,保护下游器件。
  • 低漏电流:在正常工作电压下漏电小(≈1 μA),适合对静态电流敏感的系统。
  • 小型封装:SOD-323 体积小,便于高密度 PCB 布局和移动设备应用。
  • 中等结电容(50 pF):对一般数据信号线适用,但在超高速差分信号或高频射频路径上需评估对信号完整性的影响。
  • 宽温度范围:可靠性好,可用于工业级与车规级要求较高的环境。

四、典型应用场景

  • USB、RS-232/RS-485、CAN、LIN 等通信接口的输入输出保护(尤其电压最高接近 24V 的场合)。
  • 工业控制与传感器接口的浪涌与静电防护。
  • 电源开关节点的瞬态抑制(双向函数适用于交流或双极性瞬态)。
  • 消费电子、移动设备、仪器仪表与测试测量设备的接口保护。

五、选用与设计建议

  • 工作电压匹配:选择 Vrwm 略高于正常电压的型号以避免误触发;对于 24V 设计,SD24C 的 24V Vrwm 接近工作电压边界,应确认正常工作下不会接近阈值。
  • 钳位电压:钳位电压 52V 意味着在峰值冲击时仍会有高电压承受,需确认被保护器件在该钳位电压下不会损坏。
  • 结电容考虑:50 pF 对于一般低速数字信号和模拟线可接受,但用于高速数据线(如 USB3.x、HDMI 等)需选择更低电容的保护器件以减少信号失真。
  • 布局要点:将 SD24C 尽可能靠近受保护引脚放置,走线最短、粗短以降低感性和阻抗;为高能量浪涌设计合适的接地回流路径,使用低阻抗地平面。
  • 热和能量管理:SOD-323 封装受限于散热面积,长时间高能量冲击需注意器件应力,必要时选择更大封装或增加并联器件。

六、可靠性与合规

SD24C 标称从 -55 ℃ 到 +150 ℃ 的工作温度范围,适应广泛环境条件。器件通过 IEC 61000-4-2 和 IEC 61000-4-4 的抗扰等级测试,满足常见工业与民用 ESD、EFT 防护要求。具体试验级别(如 kV 数值、极性、冲击次数等)应以厂方数据手册为准。

七、封装与采购信息

  • 品牌:MDD
  • 型号:SD24C 2H SOD-323
  • 封装形式:SOD-323 表面贴装
  • 订购时请注意版本后缀(如包装、引脚排列或测试级别),并查看最新规格书获取完整的脉冲波形条件、封装尺寸和回流温度曲线。

八、结束语

SD24C 在小体积封装下提供了可靠的双向瞬态抑制能力,适合许多中低速接口与工业通信场合。选型时应综合考虑工作电压余量、钳位电压对下游器件的影响以及结电容对信号完整性的潜在影响。推荐在设计初期参考厂方完整数据手册与应用笔记,进行必要的仿真与实测验证,以确保系统在各类瞬态事件下的安全与稳定。