型号:

MCP1416T-E/OT-JSM

品牌:JSMSEMI(杰盛微)
封装:SOT-23-5
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
MCP1416T-E/OT-JSM 产品实物图片
MCP1416T-E/OT-JSM 一小时发货
描述:未分类
库存数量
库存:
2950
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.02952
3000+
0.977
产品参数
属性参数值
负载类型MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)2A
拉电流(IOH)2A
工作电压4.5V~25V
下降时间(tf)30ns
传播延迟 tpLH25ns
传播延迟 tpHL25ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)2.5V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)500uA

MCP1416T-E/OT-JSM 产品概述

一、概述

MCP1416T-E/OT-JSM 是杰盛微(JSMSEMI)推出的一款面向功率开关器件(MOSFET、IGBT)驱动的高速单通道门极驱动器,封装为 SOT-23-5。器件工作电压范围宽(4.5V 至 25V),具备欠压保护(UVP)与工业级温度范围(-40℃ 到 +125℃),适合各种开关电源、马达驱动及功率转换场合。

二、主要性能参数

  • 负载类型:MOSFET、IGBT
  • 输出电流:灌电流 IOL = 2A,拉电流 IOH = 2A
  • 工作电压范围:4.5V ~ 25V
  • 输入门限:高电平 VIH = 2.5V,低电平 VIL = 0.8V(兼容常见逻辑电平)
  • 静态电流:Iq = 500 μA(典型)
  • 动态特性:下降时间 tf ≈ 30 ns;传播延迟 tpLH ≈ 25 ns,tpHL ≈ 25 ns
  • 工作温度:-40℃ ~ +125℃
  • 封装:SOT-23-5

三、功能特性

  • 宽电源电压:支持从低压到较高驱动电压,能驱动大多数功率器件栅极到安全电压。
  • 快速开关:约 25 ns 的传播延迟和 30 ns 的下降时间,适合高频开关应用,降低开关损耗。
  • 对称驱动能力:2A 的拉/灌能力可快速充放栅电容,提高开关速度并减少过渡区功耗。
  • 欠压保护(UVP):在电源电压不足时保护被驱动器件和系统稳定性。
  • 低静态电流:Iq 约 500 μA,有利于待机功耗控制。

四、封装与引脚(概述)

器件采用 SOT-23-5 小型封装,适合空间受限的 PCB 布局。建议在 VCC 与 GND 之间添加去耦电容,靠近器件放置,保证瞬态电流供给与稳定性。引脚排列与具体功能请参照厂方引脚定义资料以确保正确连接。

五、典型应用场景

  • DC-DC 开关电源主/次级驱动
  • MOSFET/IGBT 半桥、全桥驱动器件的门极驱动
  • 电机驱动与逆变器控制前端
  • LED 驱动和一般功率开关控制

六、使用建议与注意事项

  • 布局:输出到功率器件栅极的走线应尽量短且粗,以降低寄生电感与振铃;VCC 到驱动器的去耦电容应靠近器件引脚。
  • 栅极阻尼:对易振荡的功率器件建议在栅极串联小电阻以控制上升/下降速率并抑制振铃。
  • 热管理:SOT-23-5 封装下持续高频大电流开关会引起发热,需留意 PCB 铜箔散热和环境温升。
  • 保护:虽然集成了欠压保护,但在高应力工作场合仍建议配合过流、短路与过温保护设计。

本产品以其快速响应、宽电压与对称 2A 驱动能力,适合对开关速度与驱动能力有较高要求的小型化功率电子系统。欲获取详细引脚定义、电气特性曲线及典型应用电路,请参见厂方完整资料或联系 JSMSEMI 技术支持。