型号:

AD8642ARZ-REEL7

品牌:ADI(亚德诺)/LINEAR
封装:SOIC-8
批次:25+
包装:编带
重量:0.15g
其他:
-
AD8642ARZ-REEL7 产品实物图片
AD8642ARZ-REEL7 一小时发货
描述:FET输入运放 3V/us 70uV 0.25pA 3.5MHz SOIC-8
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
12.83
1000+
12.48
产品参数
属性参数值
放大器数双路
增益带宽积(GBP)3.5MHz
输入偏置电流(Ib)1pA
输入失调电压(Vos)750uV
共模抑制比(CMRR)93dB
压摆率(SR)2V/us
静态电流(Iq)250uA
轨到轨轨到轨输出
输入失调电压温漂(Vos TC)2.5uV/℃
输出电流6mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源5V~26V
双电源(Vee ~ Vcc)-13V~-2.5V;2.5V~13V
最大电源宽度(Vdd-Vss)26V
噪声密度(eN)28.5nV/√Hz@1kHz
输入失调电流(Ios)0.5pA

AD8642ARZ-REEL7 产品概述

一、产品简介

AD8642ARZ-REEL7 是一款双路 FET 输入运算放大器,面向对低噪声、低漂移和低输入偏置电流有较高要求的精密模拟前端。器件采用 SOIC-8 封装,轨到轨输出设计,支持宽电源电压范围,并在工业级温度下保持稳定性能,适合传感器信号调理、精密滤波与低频仪表放大等应用。

二、主要规格亮点

  • 放大器数:双路
  • 增益带宽积(GBP):3.5 MHz
  • 压摆率(SR):典型约 2–3 V/μs(工作条件相关)
  • 输入偏置电流(Ib):约 1 pA(典型极低)
  • 输入失调电压(Vos):几十到几百微伏级(典型值取决测量条件)
  • 输入失调电压温漂(Vos TC):≈ 2.5 μV/℃
  • 共模抑制比(CMRR):≈ 93 dB
  • 静态电流(Iq):约 250 μA(每对放大器)
  • 输出电流:约 6 mA(驱动能力用于一般负载)
  • 噪声密度:≈ 28.5 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 输入失调电流(Ios):约 0.5 pA
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 电源范围:单电源 5 V ~ 26 V;对称双电源可工作于 ±2.5 V 至 ±13 V(最大电源差 26 V)
  • 封装:SOIC-8
  • 品牌:ADI / Linear

三、性能特点与优势

AD8642 系列以 FET 输入结构提供极低的输入偏置电流与输入失调电流,适合高阻抗传感器(如光电、温度、湿度传感器)直接接口。28.5 nV/√Hz 的噪声密度与较高的 CMRR 使器件在差分测量和低频精密放大中表现良好。轨到轨输出拓扑在单电源或低电压系统中能充分利用电源摆幅,提高动态范围。中等的 GBP 与几 V/μs 的压摆率可满足大多数缓冲、积分与第二级放大的速度需求,同时保持低功耗(每对约 250 μA)。

四、典型应用场景

  • 传感器前端放大与调理(高阻抗传感器)
  • 精密缓冲器与采样保持电路
  • 低通/带通有源滤波器(音频与低频测量域)
  • 差分放大与仪表放大器的前置级
  • 电池供电与便携式测量设备

五、使用建议与布板注意事项

  • 电源去耦:靠近 V+、V− 引脚放置 0.1 μF 与 1 μF 去耦电容以抑制高频噪声与振铃。
  • 输入保护:对高阻抗输入加防静电及过压保护,避免源阻过高时产生热欧姆漂移或漏电影响测量精度。
  • 驱动容性负载:若需要驱动大电容或长电缆,应在输出端添加小串联阻抗以确保稳定性。
  • 温度漂移管理:在精密测量场合注意环境温度变化对 Vos 的影响,必要时使用漂移校准或差分测量方案。
  • PCB 布局:将模拟信号地、敏感输入与数字地分开,短走线和对称布局可提升 CMRR 与抗干扰能力。

六、选型建议

若关注更高带宽或更强输出驱动能力,可考虑带有更高 GBP 或大电流输出的放大器;如需更低失调电压或更严格的漂移指标,可选择零漂或自动校准型放大器。总体而言,AD8642ARZ-REEL7 在低噪声、低偏流与宽电源兼容方面表现均衡,适合作为精密传感与仪表前端的双路放大解决方案。