CMH65R046SD 产品概述

CMH65R046SD 是广东场效应半导体（Cmos）推出的一款高压 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，面向开关电源、逆变器及电机驱动等高压大电流场合。器件耐压 650V，连续漏极电流达 74A，适合在 600V 级别电网与中高压开关拓扑中作为主开关器件使用。

一、关键参数与电气特性

• 漏源电压 Vdss：650V，适合 PFC、LLC、三相逆变等高压场景。
• 连续漏极电流 Id：74A（封装与散热条件相关，需参考热阻与散热方案）。
• 导通电阻 RDS(on)：41mΩ @ Vgs=10V，低导通损耗利于降低导通期热耗。
• 阈值电压 Vgs(th)：4.8V @250µA，表明需使用 10~12V 门极驱动以保证低 RDS(on)。
• 总栅极电荷 Qg：168nC（给定条件 @35A），栅极驱动能力要求较高，开关时门极电流较大。
• 输入/输出/反向传输电容：Ciss 6.8nF、Coss 350pF、Crss 42pF，开关过渡期特性平衡，Miller 电容中等，利于控制 dv/dt。
• 工作结温：-55℃ ~ +150℃，适应宽温区工作。

二、主要优势

• 高耐压与大电流能力：650V/74A 的组合适合高压功率转换，满足中高功率系统需求。
• 低 RDS(on)：在 10V 门压下 41mΩ，降低导通损耗、提高效率。
• 结构稳定、可靠性高：TO-247 常见工业封装，便于散热与更换。

三、典型应用场景

• PFC（功率因数校正）一级和二级开关；
• 中小功率逆变器、太阳能逆变、储能系统；
• 电机驱动、工业电源、UPS 等需兼顾高压与高电流的场合。

四、驱动与散热建议

• 建议门极驱动电压 10–12V，避免仅以阈值电压驱动；门极电阻根据开关速度与 EMI 要求选择（典型 5–20Ω，可根据布局调整）。
• 栅极电荷较大（168nC），在高开关频率下门极驱动功率需评估：Pgate ≈ Qg×Vgs×fs，例如 f=100kHz、Vgs=10V 时约 0.168W。
• TO-247 需可靠热接触散热器，采用导热硅脂或绝缘片并保证低热阻路径，避免长期大电流下结温过高。

五、选型与使用注意

• 在并联使用时注意 RDS(on) 与温度系数，且需保证均流；
• 高频开关时关注器件的开关损耗与 dv/dt 诱发的应力，必要时加入缓冲或限流措施（RC 吸收、RCD、软开关拓扑）；
• 推荐在最终设计中参考完整数据手册中的热阻、SOA、封装机械参数及典型波形测试。

总结：CMH65R046SD 在 650V 耐压与 74A 电流能力、较低导通阻抗与中等栅极电荷之间取得了平衡，适用于需要兼顾效率与耐压的功率转换应用。实际应用时应重点考虑门极驱动能力与散热设计，以发挥其最佳性能。