型号:

TLV272CDGKR

品牌:TI(德州仪器)
封装:8-VSSOP
批次:24+
包装:-
重量:-
其他:
-
TLV272CDGKR 产品实物图片
TLV272CDGKR 一小时发货
描述:运算放大器 2.6V/us 双路 1pA 3MHz VSSOP-8
库存数量
库存:
1577
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.96
2500+
2.83
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)16V
轨到轨轨到轨输出
增益带宽积(GBP)3MHz
输入失调电压(Vos)5mV
输入失调电压温漂(Vos TC)70uV/℃
压摆率(SR)2.4V/us
输入偏置电流(Ib)60pA
输入失调电流(Ios)60pA
噪声密度(eN)39nV/√Hz@10kHz
共模抑制比(CMRR)85dB
静态电流(Iq)550uA
输出电流5mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.7V~16V
双电源(Vee~Vcc)1.35V~8V;-8V~-1.35V

TLV272CDGKR 产品概述

一、主要规格亮点

TLV272CDGKR 是德州仪器(TI)的一款双路运算放大器,面向低功耗、轨到轨输出的精密信号放大场合。主要参数如下(基于提供数据):

  • 放大器数:双路
  • 供电范围:单电源 2.7V~16V;双电源等效范围 ±1.35V~±8V(总差电压同样为 2.7V~16V)
  • 轨到轨输出(Rail-to-Rail output)
  • 增益带宽积(GBP):3 MHz
  • 压摆率(SR):约 2.4–2.6 V/µs
  • 输入失调电压(Vos):典型 5 mV,温漂 70 µV/°C
  • 输入偏置电流(Ib):典型 60 pA(部分描述显示更低值,视测量条件而定)
  • 输入失调电流(Ios):60 pA
  • 噪声密度:39 nV/√Hz @10 kHz
  • 共模抑制比(CMRR):85 dB
  • 静态电流(Iq):550 µA(双路总)
  • 输出电流:约 5 mA(每路)
  • 工作温度:-40°C ~ +125°C
  • 封装:8-VSSOP(DGK 封装)

二、性能特点与优势

TLV272C 在低功耗与中等带宽之间取得平衡,3 MHz 的 GBP 与 ~2.5 V/µs 的压摆率使其适用于低至中频率的精密放大与滤波任务。轨到轨输出保证在单电源低电压工作时仍能获得较宽的输出摆幅,适合便携式与电池供电系统。较低的输入偏置电流和中等的噪声性能(39 nV/√Hz)有利于高阻抗传感器接口和低电平信号处理。

三、典型应用场景

  • 传感器前端放大(热电偶、电阻式传感器、电容/电感传感器的缓冲放大)
  • 低功耗便携式测量仪器、数据采集前端与信号调理
  • 主动滤波器、积分器与差分放大电路(低至中频)
  • ADC 驱动与采样保持的缓冲(注意带载能力与失真要求)

四、设计与使用建议

  • 电源去耦:在每个供电引脚靠近封装放置 0.1 µF 陶瓷电容,并并联适当的高容抗电容以抑制低频噪声。
  • 负载与驱动:单路输出约 5 mA 的驱动能力,驱动低阻抗负载时应额外注意输出摆幅和线性度。
  • 布局与反馈回路:保持反馈元件与运放输入引脚的布线短且对称,以减小噪声和偏移误差。对高阻抗源建议并联输入偏置抵消或使用偏置补偿电路。
  • 温漂与校准:Vos 为 5 mV,温漂 70 µV/°C,若系统要求高精度,应考虑软件/硬件校准或使用增益/偏置补偿措施。
  • 工作温度与封装:适用于 -40°C 到 +125°C 工业级环境,VSSOP-8 封装便于 PCB 密集布局。

五、总结

TLV272CDGKR 提供了轨到轨输出、较低静态电流与适中的带宽,适合对功耗、输出摆幅和输入泄漏有一定要求的便携式与工业传感应用。在设计时注意电源去耦、反馈回路布局和负载限制,能够在多数低频信号调理场合取得良好表现。如需更严格的精度或更高带宽,应参考 TI 官方资料比对器件家族中更高性能的型号。