DRV2603RUNR 产品概述

一、概述

DRV2603RUNR 是德州仪器（TI）面向小功率直流电机与振动致动器的单通道 H 桥驱动芯片。器件集成功率 FET，支持 PWM 接口控制，工作电压范围宽（2.5 V 至 5.2 V），静态电流仅 1.7 mA，适合电池供电的便携设备与短时高频驱动场景。器件采用 WQFN-10 (2×2 mm) 封装，环境温度范围 -40 ℃ 至 +85 ℃（器件结温可达 +150 ℃ 标注的热容限），适合集成密度要求高的应用。

二、主要特性

• 单通道 H 桥，内部集成功率 FET，简化外部器件选型与 PCB 布局。
• PWM 控制接口，便于直接由 MCU 或专用控制器驱动，占用资源少。
• 宽工作电压：2.5 V ~ 5.2 V，可与常见的 3.3 V / 5 V 系统兼容。
• 低静态电流（Iq ≈ 1.7 mA），有利于降低待机功耗。
• 工作温度范围 -40 ℃ ~ +85 ℃，器件结温上限可达 +150 ℃（Tj），满足工业级温度裕度要求。
• 紧凑 WQFN-10 (2×2 mm) 封装，适合空间受限的便携终端设计。

三、典型应用场景

• 小型直流马达驱动（如微型风扇、镜头模组马达）
• 振动电机与触觉致动器（手机、可穿戴设备、游戏手柄）
• 摄像头/机器人等需要单通道驱动与 PWM 精细控制的系统
• 对功耗和封装面积有严格要求的便携式电子产品

四、设计与使用建议

• 电源去耦：在 VCC 近端放置 1 µF 及 0.1 µF 的并联陶瓷电容以抑制瞬态电流和高频噪声。
• PWM 驱动：PWM 输入建议与 MCU 输出直接连接，保证逻辑电平与器件供电兼容；如 PWM 频率较高，注意 PCB 板级布局与回流路径，避免电磁干扰。
• 并行使用：若需更高驱动能力，可在系统层面并联多个器件（并联功率 FET），但并联器件需考虑共享控制线、启动时的电流分配与热耗散，必要时加入串阻或电流均衡措施。
• 保护与热管理：在高占空比或重载条件下关注结温，合理设计散热路径，WQFN 的引脚和底部焊盘应按厂商推荐焊盘过孔与散热处理。
• PCB 布局：尽量缩短电源回流与电机回路的走线，电源与地的回流区域充分铺铜，底部暴露焊盘与地平面焊接以提升散热。

五、封装与可靠性

WQFN-10 (2×2 mm) 封装有利于小尺寸设计，但对焊接与回流曲线敏感。推荐按 TI 数据手册的封装焊盘图和回流温度曲线进行组装。设备额定的工作温度为 -40 ℃ 至 +85 ℃，器件结温上限（Tj）+150 ℃ 提示在高功率工作时需注意热裕度与长期可靠性。

六、资源与参考

欲获取详细电气规格、引脚排列、典型应用电路与 PCB 布局建议，请参考 TI 官方数据手册与参考设计。设计时建议结合目标负载的电流/热耗特性评估驱动方案，必要时与 TI 技术支持或应用工程师沟通器件选型与并联布署策略。