MLZ1608N150LT000 产品概述

一、产品概述

MLZ1608N150LT000 是 TDK 出品的屏蔽型多层贴片电感，标称电感量为 15 µH，公差 ±20%，封装为 0603（1608 公制）。器件采用多层烧结工艺并具有磁屏蔽结构，适用于对封装尺寸和外部干扰有较高要求的小型化电路。

二、关键参数

• 电感值：15 µH（±20%）
• 饱和电流（Isat）：约 55 mA（当电流超过该值时电感量会显著下降）
• 描述中标注额定通过电流：250 mA（请以器件实际工作状态与温升为准）
• 直流电阻（DCR）：约 1.02 Ω
• 封装：0603（1608，公制）
• 类型：屏蔽多层片式电感（SMD）

三、性能特点与影响

• 小尺寸：0603 封装有利于高密度 PCB 布局，适合移动设备和空间受限的应用。
• 屏蔽结构：降低对周围电路的磁干扰（EMI），同时减少外界磁场对电感特性的影响。
• 较高 DCR（1.02 Ω）：在直流偏置或较大纹波电流下会产生较明显功耗与压降，因而不适合大电流能量传输场合。
• 饱和电流与额定电流需区分：Isat（≈55 mA）是电感发生饱和、L 值下降的重要限制；描述中 250 mA 若为瞬态或额定通过值，实际应用中仍须关注直流偏置对 L 值的影响和温升限制。

四、典型应用场景

• 低电流的信号滤波与 EMI 抑制（例如传感器接口、射频模块周边滤波）
• 低功耗电路的输入滤波（LDO 输入、RTC 供电线路）
• 高频噪声抑制与线缆去耦场合（需注意电流和损耗限制）
  不推荐用于需要承载持续大电流或低 DCR 要求的功率型电感应用。

五、设计注意事项

• 电流规格：优先以 Isat（55 mA）作为直流偏置限制，避免长期工作在接近或超过该值导致电感值下降。
• 热管理：高 DCR 会带来额外功耗，需评估温升与 PCB 散热条件，必要时考虑更低 DCR 的替代器件。
• 布局建议：靠近被滤波器件放置，并保证回流路径短且连续，以发挥屏蔽与滤波效果。
• 验证测试：在目标电流、频率及温度条件下做实际 L 与损耗测试，确认满足系统要求。

六、采购与替代

在选型时应核对 TDK 的完整数据表以确认 Isat、Irms、频率响应曲线与机械尺寸。若需更高电流承载能力或更低 DCR，可考虑同系列或其他系列中电感量相近但规格不同的型号作为替代。

总结：MLZ1608N150LT000 适合用于小封装、低电流的 EMI/滤波场景，其 15 µH 的电感值与屏蔽结构在空间受限的电子产品中具有优势，但需重点注意较低的饱和电流与相对较高的直流电阻对实际电路性能的影响。