型号:

MLP2012S3R3MT0S1

品牌:TDK
封装:0805(2012 公制)
批次:26+
包装:编带
重量:0.042g
其他:
-
MLP2012S3R3MT0S1 产品实物图片
MLP2012S3R3MT0S1 一小时发货
描述:Inductor Power Shielded Multi-Layer 3.3uH 20% 2MHz Ferrite 0.9A 0.247Ohm DCR 0805
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.332
4000+
0.31
产品参数
属性参数值
电感值3.3uH
精度±20%
额定电流900mA
直流电阻(DCR)247mΩ
类型叠层电感

MLP2012S3R3MT0S1 产品概述

一、产品简介

MLP2012S3R3MT0S1 是 TDK 推出的一款叠层屏蔽功率电感,封装为 0805(2012 公制),标称电感 3.3 μH,公差 ±20%,额定电流 0.9 A。该器件采用铁氧体材料并作屏蔽处理,适合表面贴装工艺,面向开关电源滤波、EMI 抑制和高频旁路应用。单位体积磁通密度与寄生电阻在同级别产品中具有竞争力,适合空间受限的移动和消费电子及工业控制场合。

二、主要电气与机械参数

  • 电感值:3.3 μH(±20%)
  • 额定电流(Irms):0.9 A(连续工作建议不超额定值)
  • 直流电阻(DCR):约 0.19 Ω(典型)——不同批次或资料中可能给出 0.247 Ω 为上限,选型时以最新数据手册为准
  • 测试频率:常见在 MHz 级别(如 2 MHz)下的特性良好
  • 封装:0805(2012 公制),适配标准 SMT 回流工艺
  • 结构:多层叠层铁氧体,屏蔽结构降低磁串扰

(注:上述数值基于常见型号规格,实际参数请以 TDK 官方数据手册为准。)

三、典型性能与计算参考

  • 高频阻抗(理想值):在 2 MHz 时,|Z| ≈ ωL = 2π·2e6·3.3e-6 ≈ 41.5 Ω(实际因磁滞和损耗有所降低)。
  • 铜损估算:以 DCR = 0.19 Ω、I = 0.9 A,铜损 P ≈ I^2·R = 0.9^2·0.19 ≈ 0.154 W(若采用 0.247 Ω 则约 0.20 W)。散热与温升需考虑在内并适当留裕。
  • 饱和与直流偏置:额定电流附近可能出现电感下降,设计应留有裕量以避免在偏置条件下电感值超出允许范围。

四、应用场景

  • 开关电源(降压型 DC-DC)输出滤波或输入滤波
  • EMI/射频干扰抑制、共模/差模噪声衰减环节
  • 移动设备、电池供电设备中的小型功率滤波
  • 工业控制、小型通讯设备中的高密度 PCB 布局场合

五、优点与选用建议

  • 小体积、低外泄磁通:利于高密度布线与器件并排布局
  • 适合高频工作:铁氧体材料在 MHz 频段表现良好
  • 易于 SMT 流程:兼容无铅回流焊 选型时重点关注:实际工作电流与额定电流的关系、DCR 对效率的影响、在工作频率下的实际阻抗与损耗、以及温升与可靠性边界。若对电感精度、温漂或直流偏置性能有更高要求,可考虑更低公差或专用功率电感系列。

六、PCB 与焊接注意事项

  • 尽量将电感放置在开关节点附近,减小环路面积以降低 EMI。
  • 引脚走宽铜厚足够以降低附加 DCR;必要时靠近器件处加热沉层或散热铜箔。
  • 推荐标准无铅回流曲线(请参考制造商回流规范),避免超过峰值温度并控制回流时间。
  • 焊盘设计参照 0805 标准焊盘,焊膏印刷需均匀,回流后避免机械应力集中。

七、可靠性与储存

  • 常规为 RoHS 兼容设计,但具体环保合规信息以数据手册和合格证为准。
  • 存储环境避免高湿高温,防止长期潮湿导致锡层氧化或包装变形。
  • 运输和贴装过程中避免强烈机械冲击或施加过大弯曲力。

八、常见选型陷阱与建议

  • 不要仅以电感值决策:对开关电源设计而言,DCR 与饱和特性往往决定效率与温升。
  • ±20% 公差较宽,若电路对谐振或截止频率敏感,应选用公差更紧的型号或在仿真中加入容差考量。
  • 高频应用时注意材料的介质损耗与自谐频率(SRF),必要时向厂商咨询频率特性曲线。

如果需要,我可以根据您的具体电路(工作频率、峰值电流、允许温升、可用 PCB 面积)给出更精确的选型建议与热损耗估算。