型号:

CGA4J1X7R1E475KT0Y0S

品牌:TDK
封装:0805
批次:25+
包装:编带
重量:0.043g
其他:
-
CGA4J1X7R1E475KT0Y0S 产品实物图片
CGA4J1X7R1E475KT0Y0S 一小时发货
描述:片式陶瓷电容 X7R 0805 4.7μF ±10% 25V
库存数量
库存:
2434
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.349
2000+
0.316
产品参数
属性参数值
容值4.7uF
额定电压25V
温度系数X7R

TDK CGA4J1X7R1E475KT0Y0S 产品概述

一、概述

TDK 型号 CGA4J1X7R1E475KT0Y0S 为片式多层陶瓷电容(MLCC),规格 0805(2012 英制/公制对应),额定电容 4.7 μF,公差 ±10%,额定电压 25 V,介质为 X7R。该器件适配现代表面贴装回流焊工艺,面向对体积、成本和性能有均衡要求的去耦与旁路应用。

二、主要参数

  • 电容:4.7 μF(标称)
  • 公差:±10%
  • 额定电压:25 V DC
  • 介质类型:X7R(-55 °C 至 +125 °C,温度稳定性等级)
  • 封装:0805(表面贴装)

三、性能与优点

  • X7R 介质在宽温区间内保持较稳定的电容值,适合中等精度去耦和储能场合;按标准温度特性在 -55 °C~+125 °C 范围内电容变化可控(典型 Class II 特性)。
  • 封装 0805 在尺寸与电容量之间取得平衡,便于在有限空间内实现较大电容值。
  • 良好的介质损耗和绝缘特性,适合高密度 PCB 的旁路和滤波用途。
  • 与有源器件配合时可提供低阻抗路径、降低电压瞬变和噪声耦合。

四、典型应用

  • 数字与模拟电源旁路、稳压器输出滤波(DC-DC 转换器)
  • 微处理器、FPGA 等电源去耦
  • 通信设备与消费电子的去耦/储能
  • 一般工业电子电路中对体积和可靠性有要求的场合

五、设计与使用建议

  • X7R 属于 II 类陶瓷,存在直流偏压下电容量下降(DC bias effect),高电压下实际电容会低于标称值,设计时应留有裕量或选择更高额定电压的器件。
  • MLCC 有老化现象(随时间缓慢减小),遇到关键容值要求时应考虑老化影响与预处理。
  • 推荐遵循厂商给出的推荐焊盘与回流温度曲线,避免焊接裂纹;对受机械应力敏感的布局可采用角落避让或选用应力缓冲设计。
  • 如需高可靠性或汽车级认证,请核实器件是否满足 AEC‑Q200 等相应规范。

六、封装与采购注意

  • 标称 0805 尺寸便于自动贴装和回流焊大批量生产;订购时注意标注完整型号以确保电压、容值、公差与包装方式一致。
  • 对于对频率响应、ESR/ESL 有更高要求的应用,建议向厂商索取详细电气特性曲线与样片验证。