BAV99W_R1_00001 产品概述

一、产品简介

BAV99W_R1_00001 是强茂（PANJIT）出品的一款高速开关二极管，内部为一对串联式小信号二极管，封装为 SOT-323-3。器件针对低功耗、小体积应用优化，具备较低的反向漏电和快速的反向恢复性能，适合信号整形、开关与保护电路中使用。

二、主要特性

• 串联式二极管对，节省电路空间并简化布局。
• 正向压降 Vf = 1.25 V @ 150 mA（典型测试点）。
• 最大直流反向耐压 Vr = 75 V，反向漏电 Ir = 2.5 μA @ 75 V（低漏电）。
• 额定整流电流 If = 150 mA，非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 4 A（短时冲击承受能力）。
• 反向恢复时间 Trr = 4 ns，适合高速开关应用。
• 结温工作范围 Tj = -55 ℃ 至 +150 ℃，可满足宽温区环境要求。
• 功耗 Pd = 200 mW（封装热限需注意）。

三、典型电气参数（概要）

• 正向压降：1.25 V @ 150 mA
• 反向耐压：75 V
• 直流整流电流：150 mA
• 反向电流：2.5 μA @ 75 V
• 反向恢复时间：4 ns
• 最大耗散功率：200 mW
• 峰值冲击电流：4 A

四、封装与引脚

BAV99W_R1_00001 采用 SOT-323-3 小型表贴封装，适合高密度 PCB 布局。SOT-323-3 的尺寸与热容较小，使用时需考虑封装的散热限制和焊接工艺（推荐遵循厂家回流焊曲线）。

五、典型应用场景

• 高速逻辑电路的开关与整形。
• 电平移位、钳位与保护电路（如输入保护、反向保护）。
• 串扰敏感的信号链路中作为快速整流/钳位元件。
• 小电流探测、采样与混频等小信号处理场合。
  注意：由于功耗与封装限制，不建议用于持续大电流或高功率整流场合。

六、使用与热管理建议

• 器件最大耗散功率为 200 mW，实际使用时按 PCB 热阻和环境温度进行功率降额；高占空比或持续 150 mA 工作时应评估结温。
• 在高温或高电压工况下，反向漏电随温度上升而增加，应在电路设计中留有裕量。
• 推荐遵循无铅回流焊工艺温度曲线，避免超温或长时间高温以防封装损伤。
• 生产与维修时注意静电防护。

七、典型电路与设计要点

• 用作输入保护时，可与限流电阻或 TVS 配合，限制瞬时电流并提高可靠性。
• 在高速信号切换中利用其 4 ns 的恢复时间可减小开关损耗与寄生响应。
• 若需更低正向压降或更高电流能力，应考虑并联多只或选用更大封装型号，但串联封装时并联需谨慎匹配电流分配。

八、订购与封装信息

型号：BAV99W_R1_00001；品牌：PANJIT（强茂）；封装：SOT-323-3。常见采购注意项包括最小订购量、卷装/托盘包装形式以及器件批次与出货检验报告。如用于关键应用，建议索取完整的数据手册与可靠性测试报告以作设计依据。

如需更详细的电参数曲线、封装尺寸图或回流焊建议，可提供进一步资料或直接参考强茂官方数据手册。