MMBT3904LP 产品概述

一、简介

MMBT3904LP 是台舟电子（TECH PUBLIC）推出的小功率 NPN 晶体管，采用超小型 DFN1006-3L 封装，面向便携式与空间受限的电子设备。器件定位为通用开关与低频小信号放大，兼顾低电流偏置下的高电流增益需求。

二、主要电气参数

• 集电极电流 Ic：100 mA（最大）
• 集-射极击穿电压 Vceo：50 V
• 耗散功率 Pd：100 mW（封装限制）
• 直流电流增益 hFE：400（典型，Ic=2 mA，Vce=6 V）
• 特征频率 fT：1 MHz
• 集电极截止电流 Icbo：100 nA
• 集-射极饱和电压 VCE(sat)：250 mV（Ic=100 mA，Ib=10 mA）
• 发射-基极击穿电压 Vebo：5 V

三、性能特点

• 高直流电流增益：在低电流工作点（2 mA）下 hFE 高达 400，便于设计高增益放大级或节流驱动电路。
• 低饱和压降：在强制驱动条件下 VCE(sat)≈250 mV，有利于减少饱和损耗与提升开关效率。
• 低漏电流：Icbo 仅 100 nA，适合高阻抗输入或低静态功耗场合。
• 频率响应适中：fT≈1 MHz，适用于音频及低频信号处理，但不适合高频射频应用。
• 小尺寸封装：DFN1006-3L 体积小，适合空间受限的 PCB 布局与高密度组装。

四、典型应用

• 低电流开关与驱动（指示灯、继电器驱动的前级）
• 传感器信号放大与缓冲（温度、压力等模拟前端）
• 低功耗便携设备中的通用放大器与开关
• 数字电路的接口电平转换与上拉/下拉控制

五、封装与布局建议

• DFN1006-3L 为金属化小型封装，热阻相对较高；建议在 PCB 侧增加铜箔面积以提升散热能力。
• 由于封装功耗 Pd 限制为 100 mW，应根据工作点做功耗热降额（高环境温度或连续大电流时需降额使用）。
• 布局时尽量缩短基极、集电极与发射极之间的走线，减小寄生电感与电阻，改善开关与噪声性能。
• 焊接工艺应遵循厂家回流曲线，避免过热导致封装应力或性能劣化。

六、使用注意

• 发射-基极反向击穿 Vebo 为 5 V，避免在电路中出现大幅度反向偏压。
• 在接近 Ic 最大额定值时，关注封装散热与稳态温升，防止因结温升高引起参数漂移或失效。
• 推荐在设计前查看完整数据表与可靠性规范，必要时加入限流或保护电路以提升可靠性。