型号:

SMF10A-E3-08

品牌:VISHAY(威世)
封装:SMF(DO-219AB)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SMF10A-E3-08 产品实物图片
SMF10A-E3-08 一小时发货
描述:Diode: TVS; 200W; 11.1V; 11.8A; unidirectional; SMF; reel,tape
库存数量
库存:
2500
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.687
3000+
0.64
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)10V
钳位电压17V
峰值脉冲电流(Ipp)11.8A@10/1000us
峰值脉冲功率(Ppp)1kW@8/20us
击穿电压12.3V
反向电流(Ir)100nA
通道数单路
工作温度-65℃~+175℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容562pF

SMF10A-E3-08 产品概述

一、产品简介

SMF10A-E3-08 为 VISHAY(威世)出品的一款单路单向瞬态电压抑制二极管(TVS),采用 SMF(DO-219AB)封装,卷带供货。器件专为瞬态过电压、浪涌和静电放电(ESD)保护设计,工作温度范围宽(-65℃ 至 +175℃),并符合 IEC 61000-4-2 抗静电放电标准,适用于工业、电源总线和需要高可靠性防护的场合。

二、主要电气参数(关键规格)

  • 反向截止电压 Vrwm:10 V
  • 击穿电压(典型)Vbr:12.3 V
  • 钳位电压 Vc:17 V(在给定脉冲条件下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:11.8 A(10/1000 μs)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:1 kW(8/20 μs);器件在某些标准额定条件下标称功率 200 W
  • 反向泄漏电流 Ir:100 nA(典型或最大值)
  • 结电容 Cj:562 pF(典型)
  • 通道数:单路(单向)
  • 防护类型:ESD、浪涌保护

三、产品特性与优势

  • 高可靠脉冲能量吸收能力:在 8/20 μs 和 10/1000 μs 等工业常用脉冲波形下均能承受大幅瞬态能量,适合电源线和总线级保护。
  • 宽温度工作范围:-65℃ 到 +175℃,适用于严苛环境与高温场景(如汽车电子、工业控制)。
  • 单向保护:对单向电源/信号线提供低电压钳位,减少后端器件应力。
  • 体积与封装优势:SMF(DO-219AB)封装易于 PCB 布局与焊接,卷带包装便于 SMT 自动化生产。
  • 结电容较大(562 pF):对大电流/电源线保护良好,但对高速数据线(USB/高速串行)可能不适合。

四、典型应用场景

  • 电源线和总线防护(DC 轨道、外围电源接口)
  • 工业控制设备、测量仪器的浪涌与 ESD 防护
  • 通信基站、电源模块、逆变器等需要高能量吸收的节点
  • 汽车电子系统(非高速信号线)— 需结合系统级规范确认

五、选型与使用注意事项

  • 钳位电压与被保护器件耐压匹配:17 V 钳位在多数 12 V 轨道保护中表现良好,但需确认被保护器件在该钳位下不会受损。
  • 结电容影响:562 pF 对快速边沿和高速信号会引入明显负载,选择时需权衡电容对信号完整性的影响。
  • 脉冲能量与重复性:器件可承受高能瞬态,但重复频繁的大能量冲击会降低寿命,建议在系统层面进行浪涌限制与级联保护设计。
  • 熔接与贴装:遵循 VISHAY 的焊接与回流曲线建议,卷带(reel,tape)便于 SMT 生产,装配时注意防潮和正确储存。

六、可靠性与合规

SMF10A-E3-08 满足常见的工业 ESD/浪涌测试要求(参考 IEC 61000-4-2 等规范),并具有宽温度工作能力,适合长期可靠运行的应用。具体认证与典型测试曲线(如 I–V 特性、能量吸收能力、脉冲响应、封装热阻)建议参考 VISHAY 官方数据手册以获得完整规范与图示。

总结:SMF10A-E3-08 是一款面向电源轨与总线级防护的高能 TVS 器件,具有高脉冲吸收能力、宽温度范围和工业级可靠性。选型时需考虑其较高的结电容对高速信号的影响并评估系统级浪涌管理策略。