SS35-E3/57T 产品概述

一、产品简介

SS35-E3/57T 为 VISHAY（威世）推出的一款肖特基整流二极管，封装为 DO-214AB（SMC）。该器件面向中功率整流与保护应用，具有低正向压降与良好的浪涌承受能力，适合开关电源、DC/DC 变换器、整流桥和电源路径 ORing 等场合。

二、主要参数

• 正向压降 (Vf)：750 mV @ 3 A
• 直流反向耐压 (Vr)：50 V
• 额定整流电流：3 A（连续）
• 反向电流 (Ir)：500 µA @ 50 V（室温）
• 工作结温范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：100 A
• 封装：DO-214AB（SMC）

三、关键特性与优势

• 低正向压降：在 3 A 工作点 Vf≈0.75 V，可降低功耗与发热，提升整体效率。
• 快速恢复与肖特基特性：开关损耗小，适合高频开关电源及整流应用。
• 高频脉冲耐受：Ifsm=100 A，支持启动瞬态和短时浪涌冲击（具体脉冲波形与时长请参考官网数据手册）。
• 宽温度范围与商用/工业级可靠性：工作结温到 +150 ℃，适应较苛刻环境。

四、典型应用场景

• 开关电源（主整流、续流二极管）
• DC/DC 转换器输出整流
• 电池管理与电源 OR-ing、反向保护
• 车载电源与工业电源中对浪涌与反向阻断需求的场合

五、设计与布局建议

• 散热：SMC 封装需在 PCB 上提供大面积铜箔并尽量增加过孔通向内层或底层散热层，以降低结-壳热阻。
• 布线：将二极管输入、输出走线尽量短且宽，减小串联电阻与寄生电感，降低 EMI。
• 旁路与滤波：在高频开关附近添加合适的旁路电容，减缓尖峰电压和开关应力。
• 浪涌保护：若系统有较大启动或短路浪涌，建议配合限流、NTC 或熔断器使用。

六、热管理与可靠性考量

• 反向泄漏随温度上升显著增加（Ir 在高温下会高于 500 µA@50 V），设计时需对高温条件下的泄漏电流和功耗进行评估。
• 连续 3 A 运行时应按 PCB 散热能力进行功耗计算并必要时降额使用，避免长期在接近上限的结温下工作以延长寿命。
• 对 Ifsm 的使用需遵循数据手册中规定的脉冲宽度与重复率限制。

七、封装与采购信息

• 封装：DO-214AB（SMC），适合手工与回流焊贴装，便于散热与机械固定。
• 品牌：VISHAY（威世），可查询官方型号 SS35-E3/57T 的完整数据手册与可靠性认证以获取详细规范和装配建议。

八、结语与选型建议

SS35-E3/57T 在 3 A 级别的中功率场合提供了低压降、良好浪涌能力与工业温度适应性。若目标为高效率整流、需要较低导通损耗且能接受肖特基器件在高温下较高反向漏电的特性，该器件为经济且可靠的选择。最终选型请结合系统最大工作电流、结温预算、泄漏容忍度及波形脉冲规范，参考 VISHAY 官方数据手册以确认所有应用限制。