型号:

EL851

品牌:EVERLIGHT(台湾亿光)
封装:4-DIP
批次:24+
包装:管装
重量:-
其他:
-
EL851 产品实物图片
EL851 一小时发货
描述:OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4-DIP
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商品单价
梯度内地(含税)
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0.755
2500+
0.699
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.2V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)5kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压350V
输出通道数1
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV@20mA,1mA
上升时间(tr)4us
下降时间5us
工作温度-55℃~+100℃
电流传输比(CTR)最小值50%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值600%
总功耗(Pd)200mW
正向电流(If)60mA

EL851 产品概述

一、产品简介

EL851 为台湾亿光(EVERLIGHT)生产的光电隔离器(光电三极管输出),采用标准 4-DIP 封装、单通道设计。器件输入为直流 LED,输出为光电三极管,额定隔离电压达 5kVrms,适合需要安全、可靠隔离的模拟与数字信号传输场景。

二、主要参数

  • 输入类型:DC(发光二极管)
  • 正向压降(Vf):1.2V
  • 正向电流(If)最大值:60mA
  • 直流反向耐压(Vr):6V
  • 输出类型:光电三极管(单通道)
  • 输出电流(Ic):50mA
  • 负载电压(Vce max):350V
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):约 400mV(在典型测试条件下)
  • 电流传输比(CTR):最小 50%,最大/饱和值 600%
  • 上升时间 tr:4μs;下降时间 tf:5μs
  • 隔离电压(Vrms):5kV
  • 总功耗 Pd:200mW
  • 工作温度范围:-55℃ ~ +100℃
  • 封装:4-DIP,单通道

三、主要特点与优势

  • 高绝缘耐压:5kVrms 确保输入与输出间强隔离,适合高压检测与安全隔离场合。
  • 宽负载电压能力:输出端可承受最高 350V,便于直接与高压电路配合使用(需注意限流与耐压设计)。
  • 大范围 CTR:50%~600% 的 CTR 范围意味灵活的放大能力,但设计时应按最小 CTR 进行保守计算以确保稳定性。
  • 快速响应:tr/tf 在微秒级,适合低至中速信号隔离。
  • 耐温与可靠性高:工作温度宽、总功耗 200mW,适合工业环境。

四、典型应用

  • 电源反馈与次级隔离(SMPS 隔离反馈)
  • 工业控制与 PLC 信号隔离
  • 通信设备接口隔离
  • 仪器仪表、传感器接口的地环路消除与保护
  • 高压检测与保护电路

五、设计注意事项

  • 输入驱动:Vf ≈1.2V,If 最大 60mA。设计限流电阻:R = (Vdrive - Vf) / If。例:5V 驱动且目标 If=1mA,则 R ≈ (5-1.2)/1mA = 3.8kΩ。
  • 输出侧限流与电压:当驱动大电流输出时,应计算拉电阻值 Rpull = (Vload - VCE(sat)) / Ic,以保证功耗和电压等级安全;若直接对 350V 侧开关,建议使用专用高压限流或驱动级以分担电压与功耗。
  • CTR 波动:器件 CTR 变化范围大,电路应按最小 CTR(50%)计算所需 If。示例:若需要 Ic=10mA,按 CTRmin 0.5,需 If ≥ 20mA。
  • 开关速度:tr/tf 为几微秒,非高速逻辑器件,不适合 MHz 级快速数据链路。
  • 绝缘与 PCB 布局:保持足够爬电与间隙距离,考虑工作环境湿度与耐压裕度,并遵循安规测试流程。
  • 热管理:Pd 200mW,避免长时间在额定功耗上运行,注意环境温度与散热措施。

六、封装与实用建议

4-DIP 通孔封装便于焊接与试验板验证,适合原型与量产通过插装方式使用。实际布板时请确保输入、输出地分离并留出足够间隙以满足 5kVrms 隔离要求。

七、总结

EL851 以其 5kV 高隔离、350V 输出耐压与宽 CTR 范围,适合工业与电源隔离场合的信号传输与安全隔离需求。设计时以最小 CTR 与最大环境温度为依据进行保守设计,合理配置限流与拉电阻,并注意 PCB 隔离规范与功耗管理,可获得稳定可靠的隔离性能。