CUS05S30,H3F 产品概述

一、产品简介

CUS05S30,H3F 是东芝（TOSHIBA）出品的一款肖特基二极管，针对低压、低功耗电源及保护电路优化。其典型电气参数为：正向压降 Vf = 340 mV @ 100 mA，直流反向耐压 Vr = 30 V，额定整流电流（平均）500 mA，反向漏电流 Ir = 150 μA @ 10 V，非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 5 A。器件采用小型表面贴装封装（USC），适合空间受限的终端产品。

二、主要性能特点

• 低正向压降：340 mV（100 mA）有助于降低整流及开关损耗，提高系统效率。
• 宽阻断电压：30 V 满足常见低压电源与保护应用的耐压需求。
• 中等整流能力：500 mA 的平均整流电流适合小型开关电源、充电器和接口电源。
• 峰值浪涌能力：5 A 的冲击电流容量能承受瞬态启动或突发负载。
• 可控反向漏电：150 μA @ 10 V 在低电流场景下需关注漏电对功耗的影响。
• 小型封装：USC 适合表面贴装自动化生产与高密度布局。

三、典型应用场景

• 便携设备电源整流与二次侧保护（如移动电源、蓝牙设备等）。
• 电源反向保护与电池防反接（ORing、防误接电路）。
• 低压降线性替代二极管，用于降低功率损耗的整流或低压轨保护。
• 充电管理、接口保护、电源切换电路中的快速整流元件。

四、封装与装配建议

• USC 小型SMD 封装适用于回流焊工艺，建议按 J-STD-020 推荐的回流温度曲线执行以保证焊接可靠性。
• 为降低温升并确保长期可靠性，PCB 布局时尽量缩短电流回路走线，扩大铜箔面积，必要时在焊盘下增加散热铜箔或过孔导热。
• 对于接近额定电流或有持续耗散的场合，应做电流/温度降额处理，避免长期在极限工况下工作。

五、可靠性与测试要点

• 测试与验证时应关注反向漏流在工作电压和温度变化下的增长，特别在待机或低功耗模式下对整体系统待机功耗的影响。
• 峰值浪涌能力虽可承受短时冲击，但不宜作为持续过载方案，需配合限流或熔断保护。
• 出货或设计验证阶段建议进行热循环、湿热和焊接热应力试验以评估封装及焊点可靠性。

六、选型与采购参考

• 型号：CUS05S30,H3F；品牌：TOSHIBA（东芝）；封装：USC。
• 选型时应结合系统最大工作电流、允许的正向压降、电源工作电压及允许的反向漏电流进行权衡。需要更详细的特性曲线、封装尺寸及典型线路图，请参考东芝官方数据手册或联系本地代理商获取样片与应用资料。

以上为 CUS05S30,H3F 的产品概述，覆盖性能特征、适用场景及设计注意要点。如需进一步的电气特性图、封装尺寸或等效电路建议，可提供具体应用环境以便给出更精准的设计建议。