型号:

IS25LP020E-JNLE-TR

品牌:ISSI(美国芯成)
封装:SOIC-8
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
IS25LP020E-JNLE-TR 产品实物图片
IS25LP020E-JNLE-TR 一小时发货
描述:2MB QSPI, 8-PIN SOP 150MIL, ROHS
库存数量
库存:
2999
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.97
3000+
1.86
产品参数
属性参数值
接口类型SPI
存储容量2Mbit
时钟频率(fc)104MHz
工作电压2.3V~3.6V
待机电流17uA
擦写寿命100000次
页写入时间(Tpp)450us
块擦除时间(tBE)200ms@(64KB)
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+105℃

IS25LP020E-JNLE-TR 产品概述

IS25LP020E-JNLE-TR是美国芯成(ISSI)推出的一款2Mbit容量QSPI串行闪存,主打高速读写、低功耗宽温适应性,适用于工业控制、消费电子、通信设备等多领域的配置存储与固件存储需求,符合ROHS环保标准。

一、核心规格与接口特性

该产品核心容量为2Mbit(换算为256KB字节),采用QSPI(四串行外设接口) 设计,相比传统SPI支持单/双/四SPI模式切换,可灵活适配不同系统的传输速率需求。封装为8-PIN SOP 150MIL(即8-SOIC封装,引脚间距1.27mm,宽度3.90mm),体积紧凑,适合高密度PCB布线。

二、关键性能参数解析

1. 高速传输能力

时钟频率最高达104MHz,四SPI模式下每个时钟周期可传输4bit数据,理论传输速率可达52MB/s(104MHz×4bit/8bit/byte),远高于传统SPI的13MB/s(104MHz×1bit/8bit/byte),可快速完成固件加载、数据读写等操作。

2. 低功耗设计

  • 待机电流仅17μA,适合电池供电设备(如可穿戴设备、智能家居节点)的长期待机需求;
  • 工作电压范围2.3V~3.6V,覆盖主流嵌入式系统的3.3V电源设计,兼容性强。

3. 擦写与存储可靠性

  • 擦写寿命:100000次(10万次),满足频繁固件更新的场景;
  • 块擦除时间:64KB块擦除仅需200ms,页写入时间(Tpp)450μs(典型页大小为256字节),擦写效率较高;
  • 数据保留:20年,即使在工作温度范围内长期存储,数据仍能保持完整。

三、封装与引脚配置

采用8-SOIC(150MIL)封装,引脚功能为标准QSPI闪存配置:

  • CS#:片选信号(低电平有效);
  • SCK:时钟输入;
  • IO0~IO3:四SPI模式下的双向数据引脚(单SPI模式下仅用IO0/IO1);
  • WP#:写保护信号(低电平有效,防止误擦写);
  • HOLD#:保持信号(低电平有效,暂停通信);
  • VCC/GND:电源与地引脚。

该封装体积小、布线简单,适合批量生产与小型化设备设计。

四、典型应用场景

  1. 工业控制设备:PLC、传感器节点、工业网关等,其-40℃~+105℃的宽温范围可适应车间、户外等恶劣环境,存储配置参数与固件;
  2. 消费电子:智能家居设备(如智能音箱、开关)、可穿戴设备(如智能手环),低待机电流延长电池续航;
  3. 通信设备:路由器、交换机、无线AP等,高速读写能力满足固件升级与数据缓存需求;
  4. 汽车电子(扩展适用):虽然未明确标注汽车级,但宽温与高可靠性可适配部分车载辅助系统(如车载显示屏固件存储)。

五、可靠性与合规性

  • 环境适应性:工作温度-40℃~+105℃,满足工业级与部分车规级温度需求;
  • 环保合规:通过ROHS认证,无铅、无镉等有害物质,符合欧盟环保指令;
  • 品牌保障:ISSI作为专业存储芯片厂商,产品经过严格测试,稳定性与一致性可靠。

该产品平衡了高速、低功耗与可靠性,是中小容量QSPI闪存的高性价比选择,可满足多领域的存储需求。