型号：
US6K2TR
品牌：ROHM(罗姆)
封装：TUMT6
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 1W 30V 1.4A 2个N沟道 SOT-363T
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产品参数
属性参数值
FET 类型2 N-通道（双）
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）240 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）2nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）70pF @ 10V
功率 - 最大值1W
工作温度150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳6-SMD，扁平引线
供应商器件封装TUMT6
US6K2TR 产品概述
产品名称: US6K2TR
品牌: ROHM（罗姆）
封装: TUMT6
类型: 场效应管（MOSFET）
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD，扁平引线
产品描述
US6K2TR 是 ROHM 公司推出的一款高性能双 N 通道 MOSFET，采用 SOT-363T 封装，专为表面贴装应用设计。该器件具有逻辑电平门功能，适用于低电压、高电流的开关应用。其紧凑的封装和优异的电气性能使其成为便携式设备、电源管理、电机驱动和信号切换等领域的理想选择。
关键特性
高电压和电流能力
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：1.4A（25°C）
- 最大功率：1W
低导通电阻
- 导通电阻（Rds(on)）：240 毫欧 @ 1.4A，10V
- 低导通电阻减少了功率损耗，提高了效率，特别适用于高电流应用。
逻辑电平门驱动
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值 2.5V @ 1mA
- 支持低电压驱动（如 3.3V 或 5V），可直接与微控制器或逻辑电路接口，无需额外的电平转换电路。
快速开关性能
- 栅极电荷（Qg）：最大值 2nC @ 5V
- 输入电容（Ciss）：最大值 70pF @ 10V
- 低栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，适用于高频开关应用。
宽工作温度范围
- 工作温度：最高 150°C（TJ）
- 能够在高温环境下稳定工作，适合工业级应用。
紧凑封装
- 封装：TUMT6（SOT-363T）
- 表面贴装设计，节省 PCB 空间，适合高密度电路板布局。
应用领域
US6K2TR 凭借其优异的性能和紧凑的封装，广泛应用于以下领域：
- 便携式设备
- 智能手机、平板电脑、可穿戴设备等低功耗、高集成度的电子产品。
- 电源管理
- DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路等。
- 电机驱动
- 小型电机、步进电机、风扇驱动等。
- 信号切换
- 模拟开关、多路复用器、信号路由等。
- 工业控制
- 自动化设备、传感器接口、低功耗控制器等。
技术优势
- 高效能
- 低导通电阻和快速开关性能显著降低了功率损耗，提高了系统效率。
- 易于驱动
- 逻辑电平门设计简化了驱动电路，降低了系统复杂性和成本。
- 高可靠性
- 宽工作温度范围和稳定的电气性能确保了器件在苛刻环境下的可靠性。
- 小型化设计
- SOT-363T 封装适合高密度 PCB 布局，满足现代电子产品对小型化的需求。
电气参数总结
| 参数名称 | 数值/条件 |
|---|---|
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 连续漏极电流（Id） | 1.4A @ 25°C |
| 导通电阻（Rds(on)） | 240 毫欧 @ 1.4A，10V |
| 栅极阈值电压（Vgs(th)） | 2.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg） | 2nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss） | 70pF @ 10V |
| 最大功率 | 1W |
| 工作温度 | 最高 150°C（TJ） |
封装信息
- 封装类型: TUMT6（SOT-363T）
- 引脚数量: 6
- 安装方式: 表面贴装（SMD）
- 尺寸: 紧凑型设计，适合高密度 PCB 布局
总结
US6K2TR 是一款高性能、低功耗的双 N 通道 MOSFET，具有逻辑电平门功能、低导通电阻和快速开关性能。其紧凑的 SOT-363T 封装和优异的电气特性使其成为便携式设备、电源管理、电机驱动和信号切换等应用的理想选择。ROHM 公司的高品质制造工艺确保了该器件的高可靠性和长寿命，是工程师设计高效能电子系统的优选器件。