DF3A5.6LFV(TPL3,Z)

DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 产品概述

概要

DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 是由东芝（TOSHIBA）生产的一款静电和浪涌保护（TVS/ESD）齐纳二极管，专门设计用于保护电子设备免受静电放电（ESD）和瞬态浪涌电压的影响。以下是对此产品的详细介绍。

基础参数

• 类型: 齐纳二极管
• 单向通道: 2
• 电压 - 反向断态（典型值）: 3.5V
• 电压 - 击穿（最小值）: 5.3V
• 电源线路保护: 无
• 应用: 通用
• 不同频率时电容: 8pF @ 1MHz
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: SOT-723
• 供应商器件封装: VESM

描述

DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 齐纳二极管主要用于提供高效的静电和浪涌保护，确保电子设备在受到意外的高电压冲击时能够保持正常运行。其小型化的SOT-723封装使其非常适合于现代电子产品中的空间有限的设计。

特点

静电和浪涌保护

该器件能够有效地吸收和分散静电放电和瞬态浪涌电压，保护敏感的电子元器件免受损害。其低电容特性（8pF @ 1MHz）使其在高频应用中尤为适用。

小型化封装

采用SOT-723封装，DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 具有极小的体积，这使得它可以轻松集成到各种紧凑的电子设备中，如智能手机、平板电脑、汽车电子系统等。

高可靠性

东芝作为一家知名的半导体制造商，DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 齐纳二极管经过严格的测试和验证，确保其在各种环境条件下都能提供可靠的性能。

通用应用

该器件适用于广泛的应用场景，包括但不限于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备等领域。其通用性使得它成为许多设计工程师的首选。

技术参数详解

• 反向断态电压（典型值）: 3.5V，这表示在正常工作状态下，器件能够承受的最大反向电压。
• 击穿电压（最小值）: 5.3V，这是指当器件开始导通并开始吸收过载电压时的最低电压阈值。
• 电容: 在1MHz频率下，器件的电容为8pF，这对于需要保持信号完整性的高频应用非常重要。

安装和使用建议

• 表面贴装: 由于采用SOT-723封装，DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 适合于自动化表面贴装生产线。
• 布局设计: 在PCB设计中，应确保器件与需要保护的敏感元器件之间的距离尽可能短，以最大限度地减少传导路径中的寄生参数。
• 热设计: 考虑到器件可能会在吸收过载电压时产生热量，应确保PCB布局允许良好的热散热。

结论

DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 是一款高性能、紧凑型的静电和浪涌保护齐纳二极管，通过其出色的保护能力和小型化设计，能够满足现代电子产品对可靠性和空间效率的要求。它是各类电子设备设计工程师的理想选择，能够帮助他们构建更加robust和可靠的系统。