CNY65EXI 产品概述

CNY65EXI 是 VISHAY（威世）出品的一款晶体管输出光耦合器，采用四针 DIP-4 插件封装，面向需要电气隔离且对开关速度与输出电流有中等要求的应用。器件以直流输入 LED 驱动、光电三极管输出为基本工作形式，兼具高隔离等级与较大的输出驱动能力，可用于开关信号隔离、接口保护和低功耗传感隔离场合。

一、产品要点一览

• 输入类型：DC（发光二极管）
• 输出类型：光电三极管
• 正向压降（Vf）：1.25 V（典型）
• 输出电流：最大 50 mA
• 隔离电压（Vrms）：8.2 kV
• 直流反向耐压（Vr）：5 V
• 负载电压（Collector-Emitter）最大：32 V
• 集射极饱和电压 VCE(sat)：300 mV @ 10 mA（条件说明见数据表）
• 上升/下降时间 tr/tf：2.4 µs / 2.4 µs
• 工作温度范围：-55 ℃ 到 +85 ℃
• 电流传输比（CTR）：最小 50%，最大/饱和值 300%
• 总功耗（Pd）：250 mW（输出端）
• LED 正向电流 If：最大 75 mA
• 封装：4-DIP（直插）

二、主要特性与亮点

• 高电气隔离能力：8.2 kVrms 隔离等级适合工业和电源系统中对安全隔离有较高要求的场合。
• 输出驱动能力较强：光电三极管可驱动高达 50 mA 的负载，适合直接驱动中小负载或作为后级驱动开关元件的前置隔离器。
• 宽 CTR 范围：50%~300% 的 CTR 范围使其能在不同 If 条件下获得多种输出电流配置（设计时需考虑最小 CTR 情况以保证最差工况下的可靠驱动）。
• 中等速度：2.4 µs 的上/下降时间适合低至中等频率的数字信号隔离与控制（例如微控制器接口、开关检测等）。

三、电气参数与设计说明（关键点）

• CTR 与驱动电流关系：CTR = Ic / If。对于需要稳定输出的设计，必须按最小 CTR（50%）来保证最差工况。举例：若目标 Collector 电流为 10 mA，最差 CTR=50% 时需要 LED 电流 If ≥ 20 mA；若使用典型 CTR（如 100%）则 If≈10 mA 即可满足。选型时宜按最坏情况计算并留有裕量。
• 饱和电压与驱动：VCE(sat)=300 mV（在指定 If/Ic 条件下）表示器件可在饱和状态下以较低压降导通，适合做低压降开关输出。但要注意 VCE(sat) 随 If 与 Ic 的不同组合会变化，具体请参考原厂曲线。
• 温度与功耗限制：输出端总功耗 Pd 250 mW，工作温度 -55 ℃ 到 +85 ℃。在高温或高电流工况下需注意热耗散与降额，以免超过器件极限。
• 反向耐压与负载电压：LED 反向耐压 Vr = 5 V，避免对 LED 施加反向高压。输出端最大负载电压（Collector-Emitter）32 V，应保证电路中不会超过这一限制。

四、典型应用场景

• MCU 与高压回路之间的数字隔离（按较低频率时性能最佳）
• 开关电源的状态检测与反馈回路隔离
• 工业控制信号隔离（传感器、继电器驱动前置隔离）
• 电机控制逻辑与电源部分的接口保护
• 仪器仪表中需要保持信号完整性和安全隔离的场合

五、选型与使用建议

• 设计驱动电流时优先按最小 CTR（50%）计算，以保证最差工况满足输出电流需求；若需要饱和低 VCE，请确保 LED 电流足够且不超过 If 最大值 75 mA。
• 对于需要高速切换的应用（>100 kHz），应评估 tr/tf（2.4 µs）是否满足要求，必要时选择高速光耦或光隔离放大器。
• PCB 布局时注意输入端与输出端的隔离区划分，确保符合系统所需的爬电距离与杂散电容限制。
• 焊接与使用应遵守 VISHAY 的推荐工艺和焊接温度曲线，以避免封装或内部引线受损。

六、封装与机械注意事项

• 封装类型为四针 DIP（直插），便于在通孔板或传统 PCB 上实现可靠安装和良好机械强度。
• 通过孔间距、引脚处理与定位孔配合，便于自动化插件与波峰/回流焊接后续处理；详细机械尺寸与引脚排列请参照官方器件封装图纸。

总结：CNY65EXI 是一款面向中等速度、需要较高隔离电压及较大输出驱动能力的光耦产品。设计时重点关注 CTR 的最差值、LED 驱动电流与输出功耗的热管理，能够在工业控制、开关电源反馈与数字隔离等场景中提供稳定且经济的隔离解决方案。有关更详细的曲线、时序和封装尺寸，请参照 VISHAY 官方数据手册以确保设计与可靠性。