型号:

HESDNC24VB1AF-A

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装:DFN1006-2L
批次:25+
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
HESDNC24VB1AF-A 产品实物图片
HESDNC24VB1AF-A 一小时发货
描述:-
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0551
10000+
0.0452
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)24V
钳位电压60V
峰值脉冲电流(Ipp)5A
峰值脉冲功率(Ppp)300W@8/20us
击穿电压29.5V
反向电流(Ir)100nA
通道数单路
工作温度-40℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容15pF

HESDNC24VB1AF-A ESD防护器件产品概述

一、产品定位与核心价值

HESDNC24VB1AF-A是华轩阳电子(HXY MOSFET) 推出的单路双向ESD防护器件,专为电子电路中的静电放电(ESD)及瞬态浪涌干扰设计。核心价值在于:在实现高效防护的同时,保持低寄生电容适配高速信号传输,且具备宽温工作能力与超小型封装,可满足消费电子、工业控制、汽车电子等多领域的防护需求。

二、关键电气参数深度解析

该器件参数针对实际场景精准优化,核心指标意义如下:

2.1 防护性能指标

  • 防护等级:IEC 61000-4-2:完全符合国际静电放电标准,可抵御人体接触(HBM)、机器放电(MM)等常见ESD冲击,避免后端敏感器件损坏;
  • 双向极性:无需额外匹配反向器件,可同时防护正负方向瞬态脉冲,简化电路设计;
  • 钳位电压60V:瞬态脉冲到来时快速导通,将两端电压钳位至60V以下(远低于多数IC极限耐压10~20V),确保后端电路安全;
  • 峰值脉冲能力:峰值电流(Ipp)5A、峰值功率(Ppp)300W(8/20μs波形),可承受常见浪涌能量(如电源瞬变、静电放电)。

2.2 静态与高频特性

  • 反向截止电压(Vrwm)24V:反向直流24V下稳定工作,无明显漏电流,不影响电路正常运行;
  • 反向漏电流(Ir)100nA:极低漏电流减少待机功耗,适配低功耗设备;
  • 结电容(Cj)15pF:核心优势之一,可适配1Gbps以上高速信号(如USB 3.0、HDMI),避免信号失真或延迟。

2.3 可靠性参数

  • 击穿电压29.5V:1mA测试电流下的击穿电压,确保防护阈值精准触发,不影响电路正常工作;
  • 工作温度-40℃~+125℃:宽温设计适配工业户外、汽车电子等极端温度场景。

三、封装特性与环境适应性

采用DFN1006-2L超小型封装,具备三大优势:

  • 尺寸紧凑:约1.0mm×0.6mm×0.5mm,大幅节省PCB空间,适配智能手机、可穿戴设备等高密度电路;
  • 环保合规:无铅无卤,符合RoHS标准,满足国际市场准入;
  • 散热高效:DFN封装热阻低,可快速 dissipate 瞬态脉冲热量,提升器件寿命。

四、典型应用场景

该器件参数特性覆盖多领域:

  1. 消费电子:手机、平板的USB/音频/HDMI接口防护,避免主板IC静电损坏;
  2. 工业控制:工业传感器、PLC通信接口(RS485/CAN)防护,适应-40℃~+125℃宽温;
  3. 汽车电子:车载信息系统、ADAS传感器、充电接口防护,满足汽车级可靠性;
  4. 通信设备:路由器、基站的高速以太网/射频接口防护,低电容适配高速信号。

五、品牌与质量保障

华轩阳电子是国内专业功率/防护器件厂商,HESDNC24VB1AF-A经过温度循环、湿度老化、ESD冲击等严格测试,符合行业标准,可为客户产品提供长期稳定的防护保障。