VNLD5090TR-E 产品概述

一、产品简介

VNLD5090TR-E 是意法半导体（ST）推出的一款双通道低侧功率开关，封装为 SO-8。器件专为 5V 系统功率分配与负载切换设计，通道数为 2，输入控制为高电平有效（active-high），在 4.5V 至 5.5V 工作电压下可提供最高 13A 连续输出能力，单通道典型导通电阻为 90mΩ。器件具有工业级工作温度范围（-40℃ 至 +150℃），适用于要求可靠性的工业与消费类应用。

二、主要功能与特点

• 双通道低侧功率开关（2ch）
• 高电平有效输入逻辑，便于与微控制器直接驱动
• 最大连续电流：13A（注意热限流与布局影响）
• 工作电压范围：4.5V ~ 5.5V
• 导通电阻（RDS(on)）：典型 90mΩ
• 宽温度范围：-40℃ ~ +150℃
• 过热保护（OTP）、过流保护（OCP）、过压保护（OVP）等多重保护机制
• SO-8 封装，便于标准 PCB 组装与散热处理

三、典型应用

• USB/外设电源开关与保护
• 板载电源管理与多个负载的主动切换
• 工业控制模块的电机/驱动断电保护（低侧控制）
• 通信设备与家电的负载选择与限流保护

四、保护与可靠性说明

器件集成 OTP、OCP 与 OVP，可在异常工况下自动限制输出或关断通道以保护负载与器件自身。实际保护阈值与动作特性建议参考原厂数据手册并在系统设计时留有裕度，避免长期在保护阈值附近工作以降低误动作与热应力。

五、设计与布局建议

• 电源旁靠近器件放置大容量去耦电容以抑制瞬态电流；输入与输出走短且较宽的铜箔，降低寄生阻抗与发热。
• SO-8 底部及附近敷铜热扩散区，并采用足够的过孔（thermal vias）将热量导至内层/反面铜层，确保在 13A 工作下的热稳定性。
• 对感性负载或大电流启动场景，建议在输入端加串联阻尼或软起动电路以限制浪涌电流，避免反复触发 OCP。
• 控制引脚与 MCU 之间保持可靠的逻辑电平传输，必要时加上 RC 滤波以防开关抖动。

六、封装与选型

器件封装为标准 SO-8，便于 SMT 生产与测试。选型时请以原厂完整数据手册为准，确认引脚定义、热阻参数及保护阈值等关键参数以满足具体应用需求。

VNLD5090TR-E 以其低导通损耗、较高电流能力和完整保护功能，适合用于要求高可靠性的 5V 供电与负载管理场景。实际量产前建议通过样片验证热设计与系统兼容性。