型号:

DTC123YCA

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
DTC123YCA 产品实物图片
DTC123YCA 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA NPN SOT-23
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.339
200+
0.113
1500+
0.0705
3000+
0.056
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)33@10mA,5V
最小输入电压(VI(on))3V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off))500mV@100uA,5V
输出电压(VO(on))300mV@10mA,0.5mA
输入电阻2.2kΩ
电阻比率4.5
工作温度-55℃~+150℃

DTC123YCA 产品概述

一、产品简介

DTC123YCA 是一款集成基极限流电阻的数字晶体管(NPN),由 HXY MOSFET(华轩阳电子)提供,封装为常用的 SOT-23,适合微控制器直接驱动小功率负载或作为信号缓冲器。器件兼顾开关速度与简单电路设计,适用于消费电子、家电和工业控制中低电流信号驱动场合。

二、主要参数

  • 集射极击穿电压 Vceo:50 V(最大)
  • 集电极电流 Ic:100 mA(最大)
  • 最大耗散功率 Pd:200 mW(环境/封装限制)
  • 直流电流增益 hFE:典型 33(条件:Ic=10 mA,Vce=5 V)
  • 输入电阻(内部基极电阻):约 2.2 kΩ
  • 内部电阻比率:4.5(器件内部比值,用于设计参考)
  • 输出饱和电压 VO(on):典型 300 mV(Ic=10 mA);约 0.5 V(Ic=0.5 mA 条件下典型值)
  • 输入/输出阈值与泄漏:参考典型测试条件(见使用注意)
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 封装:SOT-23(3 引脚)

三、主要特性

  • 集成基极电阻,简化外围驱动电路,适合 MCU、逻辑门直接驱动
  • 低饱和压降,开态损耗小(在小电流下 VO(on) 典型值 300 mV)
  • 50 V 的集射极耐压可适应多数中低压工况
  • 小封装、低成本,便于批量生产和高密度 PCB 布局

四、典型应用场景

  • MCU/逻辑输出到 LED、蜂鸣器、开关元件的驱动
  • 信号缓冲与电平移位(尤其需要集成限流时)
  • 小型继电器或光耦前级驱动(注意继电器线圈电流峰值与耗散)
  • 家电、通讯设备、传感器模块中的通断控制

五、引脚与封装说明

  • SOT-23 三引脚封装,常规排列便于替换常见数字晶体管器件。引脚功能包括基极(带内阻)、集电极与发射极。请参考产品数据手册的封装图和焊接建议以确保可靠焊接。

六、使用建议与注意事项

  • 输入驱动:内部基极电阻约 2.2 kΩ,驱动电流可通过 (Vin - Vbe)/2.2k 估算。举例:Vin=5V 时 Iin ≈ (5-0.7)/2.2k ≈ 2 mA;Vin=3.3V 时 Iin ≈ 1.18 mA。无需外加限流电阻即可直接与 MCU 连接,但若需更快开关或特殊电流要求,可增加外部元件优化。
  • 功率与热管理:器件 Pd=200 mW,若在较高 Vce 和 Ic 工作时容易触及耗散极限。例如在 50 V 下即便小电流也会产生较大功耗;在 5 V 系统下,当 Ic 接近 100 mA 时器件耗散可能超限。建议设计工作电流远低于最大值或采取降额使用与适当的 PCB 散热措施。
  • 开关与饱和:在典型 10 mA 负载下 VO(on) ≈ 300 mV,适合驱动 LED 或小负载;若需驱动更大电流或更低压降场合,应选用功率更高的外部晶体管或 MOSFET。
  • 环境与可靠性:器件工作温度范围宽,适合多种温度环境,但长期高温会影响寿命与参数稳定性,请在高温条件下留足裕量。

七、封装可靠性与选型建议

  • SOT-23 封装在手板和 SMT 生产中成熟可靠,适合体积受限的应用。
  • 若系统需长期大电流或更低压降,请选择更高 Pd 或更大封装的分立器件或功率 MOSFET。对于需要严格开关时序和更高 hFE 的场合,可参照数据手册中典型曲线选型。

如需器件完整数据手册、典型电路图或替代件推荐,我可以根据您的应用电压、负载电流和工作环境给出更具体的选型与电路建议。