RS1M 产品概述 — 快恢复/高效率二极管（独立式，SMA）

一、产品简介

RS1M 是华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的独立式快恢复/高效率整流二极管，封装为 SMA（常见为 DO‑214AC 规格的表贴封装）。该器件面向高压整流和开关电源回路，兼顾耐压与开关频率下的恢复特性，适用于需要较高反向耐压与可控反向恢复的场合。

二、主要性能亮点

• 正向压降：Vf = 1.3V @ 1A，保证在 1A 工作电流下的预期压降，有助于估算导通损耗（在 1A 时导通损耗约 1.3W）。
• 反向耐压：Vr = 1kV，适用于高压整流、HV 电源或离线电源电路。
• 整流电流：IF(AV) = 1A（独立器件定常整流能力），满足一般中等功率整流需求。
• 反向电流：IR = 5µA @ 1kV，泄漏电流极小，有利于提高空载/待机效率并降低高压侧漏电问题。
• 反向恢复时间：Trr ≈ 500ns，属于快恢复范畴，适合中等开关频率的 SMPS 和逆变场合（注意与超快 / 超低钝化 Schottky 的区别）。
• 非重复峰值冲击电流：Ifsm = 30A（单次浪涌能力），在发生启动冲击或短时浪涌时有一定裕量。
• 工作结温：Tj = -65℃ ~ +150℃，适应较宽温度场景，便于工业级应用。
• 封装形式：SMA，利于表面贴装工艺与自动化生产。

三、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）次级整流与回收电路（中等频率）。
• 高压整流（离线电源、HV 供电模块）。
• 逆变器与驱动电路的自由轮回二极管。
• 工业电源、充电器、功率模块中需耐高压且要求有限恢复时间的整流场合。

四、电气与热性能要点（使用工程师须知）

• 导通损耗估算：P ≈ Vf × I。以 1A 连续工作时，器件自身耗散约 1.3W，应在 PCB 散热设计上考虑热阻与热路径。
• 反向恢复：Trr = 500ns 意味着在高 di/dt 情况下会有一定的恢复损耗与电压尖峰，建议配合合理的阻尼、RC 吸收或 TVS 抑制以保护开关器件。
• 浪涌能力：Ifsm = 30A 为非重复峰值，应避免重复或长时冲击以防器件损坏。
• 环境适应：-65℃~+150℃ 的结温范围适合工业级应用，但器件长期在高温高应力下工作需额外评估寿命与热循环可靠性。

五、封装与工艺注意

• SMA（DO‑214AC）为表面贴装封装，适合回流焊工艺。具体回流曲线与焊接限制请参阅厂方数据手册并遵循 IPC/JEDEC 推荐工艺。
• PCB 布局建议：在大电流路径上缩短走线、增大铜箔面并考虑过孔散热，必要时增加散热垫或热铅。
• 存储与处理：避免潮湿环境下长期暴露，贴片器件在潮湿箱或楼层应按标准回流前进行烘烤以防湿气引起焊接缺陷。

六、选型与替代参考

RS1M 的特点是高达 1kV 的反向耐压与 500ns 的快恢复时间。在选型时可与其他同类高压快恢复二极管比较：注意正向压降、电流等级、Trr 与 Ifsm 三项对系统效率与可靠性的影响。如需更低反向恢复损耗可考虑更快 Trr 的器件或 Schottky，但须权衡其耐压与漏电特性。

七、结论与建议

RS1M（华轩阳电子 HXY MOSFET）为一款面向高压整流与中高速开关场合的独立式快恢复二极管，综合了 1kV 耐压、1A 连续整流和较低反向泄漏的特性。推荐在中等频率 SMPS、HV 整流与逆变回路中使用，但在高 di/dt 场合应配套抑制电路并重视 PCB 散热设计。最终设计与可靠性验证请以厂方完整数据手册为准。