型号:

QX817B-CUH-S

品牌:NQUNXIN(群芯微电子)
封装:SMD-4P
批次:25+
包装:编带
重量:0.45g
其他:
-
QX817B-CUH-S 产品实物图片
QX817B-CUH-S 一小时发货
描述:-
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.879
2000+
0.81
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.2V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)5kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压80V
输出通道数1
集射极饱和电压(VCE(sat))100mV@20mA,1mA
上升时间(tr)4us
下降时间3us
工作温度-55℃~+110℃
电流传输比(CTR)最小值130%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值260%
总功耗(Pd)200mW
正向电流(If)50mA

QX817B-CUH-S 产品概述

一、产品简介

QX817B-CUH-S 是群芯微电子(NQUNXIN)推出的一款单通道光电三极管隔离器件,采用 SMD-4P 封装,输入为直流 LED,输出为光电三极管。器件设计强调高隔离电压、宽工作温度和较高的电流传输比(CTR),适用于工业控制、信号隔离与电平移位等场合。

二、主要特点

  • 隔离电压(Vrms):5 kV,满足常见工业隔离要求;
  • 正向压降(Vf):典型 1.2 V;正向电流 If 最大 50 mA(推荐工作电流请参见下文守则);
  • 直流反向耐压 Vr:6 V;负载电压可达 80 V;
  • 电流传输比(CTR):130% ~ 260%,响应输入电流变化灵敏;
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):100 mV(条件:IF=20 mA, IC=1 mA);
  • 开关特性:上升时间 tr≈4 μs,下降时间 tf≈3 μs,适合中速数字信号隔离;
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +110 ℃;总功耗 Pd=200 mW。

三、电气与性能要点

  • 输出通道:1 路光电三极管,最大输出电流 50 mA(注意长期使用建议留有裕量);
  • CTR 说明:CTR 表示 IC/IF ×100%,在给定 IF 下可通过 CTR 估算输出电流(例如 IF=10 mA,CTR=130% 则 IC≈13 mA);
  • VCE(sat) 很低(≈100 mV),在饱和导通时器件功耗小,有利于降低热耗;
  • 由于 LED 反向耐压仅 6 V,电路中应避免反向电压冲击,可并联反向保护二极管。

四、典型应用场景

  • 微控制器与高压侧的信号隔离与电平移位;
  • 工业控制接口、传感器信号采集隔离;
  • 开关电源次级到控制侧的反馈隔离;
  • 抗干扰环境下的数字信号隔离与继电驱动反馈检测。

五、使用与布局建议

  • 驱动电阻选取:以 5 V 驱动、目标 IF=20 mA 为例,R = (5 V − Vf 1.2 V)/20 mA ≈ 190 Ω;设计时建议选取标准阻值并留 10~20% 安全裕度;
  • 输出侧上拉:输出集电极需通过上拉电阻连接至负载电压(≤80 V),上拉电阻应保证 IC 不超过 50 mA,例:在 24 V 下 R ≥ (24 V − 0.1 V)/50 mA ≈ 478 Ω,实际设计可取更大阻值以降低功耗;
  • PCB 布局:确保输入侧与输出侧之间有足够的爬电与间隙距离,保持隔离安全等级;SMD-4P 小型封装利于贴装,但需注意焊接温度曲线以保护器件性能;
  • 热与寿命:虽然 If 最大可达 50 mA,但建议长期运行在较低电流(如 ≤20 mA)以延长寿命并确保 CTR 的稳定性;总功耗 Pd=200 mW,设计时应考虑散热与热堆积。

六、可靠性与安全提示

  • 器件隔离电压高,但在系统认证或用于医疗、航天等关键应用时需结合系统级安全标准重新评估;
  • 推荐在电路中加入适当的浪涌保护与滤波(如 RC、TVS),以防止瞬态过压对 LED 或输出晶体管造成损伤;
  • 储存与焊接时遵守湿敏等级与回流焊规范,避免因湿气或过热影响长期可靠性。

QX817B-CUH-S 以其高 CTR、较低 VCE(sat) 与较高隔离电压,适用于需要可靠隔离和中等开关速度的场景。根据具体应用对 If、上拉电阻与 PCB 间隙进行合理设计,可获得稳定、低耗的隔离性能。