DMN2992UFB4-7B 产品概述

一、概述

DMN2992UFB4-7B 是 DIODES（美台）推出的一款 N沟道 MOSFET，采用 X2-DFN1006-3 小型封装，适合低电压、低功率的开关与驱动应用。器件标称漏源电压（Vdss）约为 20V，属于 8V–24V 系列，面向便携与空间受限的消费电子与工业控制场景。

二、主要电气参数

• 漏源电压 Vdss：20V（系列范围 8V–24V）
• 连续漏极电流 Id：830mA（额定测试条件下）
• 导通电阻 RDS(on)：1.8Ω @ Vgs=1.8V
• 阈值电压 Vgs(th)：1.0V @ ID=250µA
• 栅极电荷 Qg：410pC @ Vgs=4.5V
• 输入/输出/反向传输电容：Ciss=15.6pF，Coss=5.4pF，Crss=4pF
• 功耗 Pd：1.02W
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

这些参数表明该器件为低压逻辑电平可驱动的小功率开关元件，阈值低（约1V），在 1.8V 门驱动下可导通，但 RDS(on) 较大，适合小电流场合。

三、封装与热性能

采用 X2-DFN1006-3 表面贴装封装，体积极小，便于高密度 PCB 布局。器件额定耗散功率为 1.02W，需结合 PCB 铜箔面积与散热设计来保证在高环境温度下的可靠工作。推荐在布局时为器件提供适当的散热铜箔与过孔（如封装允许），并避免长期在额定功耗附近工作。

四、典型应用场景

• 便携设备的小电流负载开关（背光、传感器电源）
• 电池供电系统的电源管理与断电控制（低侧开关）
• 模拟开关、信号切换与保护电路
• 低压电源路径选择与放电/充电控制（需要配合驱动方案）

注意：作为 N 沟MOSFET，直接用于高侧开关需额外门极驱动或电平提升电路；低侧开关使用更为直接方便。

五、设计与驱动建议

• 门极驱动：Q g=410pC 表明在快速开关时对驱动能力有一定要求，驱动器应能提供相应电流或采用适当的门阻以限制 dv/dt。
• 开关频率：考虑较大的 Qg，适合中低频开关应用；高频切换会增加驱动损耗与发热。
• 抑制振荡：Crss=4pF 会产生米勒效应，在快速转换时需注意栅源电阻与布局，必要时加入阻尼或 RC 抑制网络。
• 保护与滤波：建议在电源侧使用合适的去耦电容与浪涌抑制元件，防止瞬态超过 Vdss 或引起误动作。
• PCB 散热：增加焊盘铜面、加宽走线并考虑多层铜层散热以降低结温。

六、采购与封装信息

型号：DMN2992UFB4-7B；品牌：DIODES（美台）；封装：X2-DFN1006-3（小型 3 引脚 DFN）；供应形式常见为 T&R 卷带（10K/Reel）。实际订购前请确认包装和最小订购量。

七、总结

DMN2992UFB4-7B 是一款面向低压、低功率应用的 N 沟道 MOSFET，特点为阈值低、体积小、适合空间受限场合的低侧开关。其较高的导通电阻与较大的栅极电荷意味着更适用于小电流或低开关频率场景；在设计中应重视驱动能力与热管理，以确保稳定可靠的运行。若需替换或并联以降低总体 RDS(on)，请评估封装尺寸与 PCB 散热能力。