型号:

LM258DT(ES)

品牌:ElecSuper(静芯微)
封装:SOP-8
批次:25+
包装:编带
重量:0.154g
其他:
-
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描述:未分类
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4000+
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产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)1MHz
输入失调电压(Vos)3.5mV
输入失调电压温漂(Vos TC)3uV/℃
压摆率(SR)1V/us
输入偏置电流(Ib)30pA
输入失调电流(Ios)2pA
噪声密度(eN)35nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)95dB
静态电流(Iq)117uA
输出电流45mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源3V~36V

LM258DT(ES) 产品概述

一、产品简介

LM258DT(ES) 是 ElecSuper(静芯微)推出的一款双通道运算放大器,封装为 SOP-8,支持宽电源电压并具有轨到轨输入与轨到轨输出能力。该器件适用于低功耗、低频带宽的精密信号调理与传感器前端放大场合,工作温度范围宽(-40℃ 至 +125℃),支持单电源工作 3V ~ 36V,最大电源电压差可达 36V。

二、主要参数

  • 放大器数:双路
  • 电源范围:单电源 3V ~ 36V(VDD–VSS 最大 36V)
  • 输入/输出:轨到轨输入,轨到轨输出
  • 增益带宽积(GBP):1 MHz
  • 压摆率(SR):1 V/µs
  • 输入失调电压(Vos):3.5 mV,温漂 3 µV/℃
  • 输入偏置电流(Ib):30 pA;输入失调电流(Ios):2 pA
  • 噪声密度:35 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 共模抑制比(CMRR):95 dB
  • 静态电流(Iq):117 µA(典型)
  • 输出电流:45 mA(最大导通能力)
  • 工作温度:-40℃ ~ +125℃
  • 封装:SOP-8
  • 品牌:ElecSuper(静芯微)

三、性能解读与设计要点

  1. 带宽与响应:1 MHz 的增益带宽积和 1 V/µs 的压摆率决定该器件适合低至中频率信号处理(例如缓慢变化的传感器信号、低通/带通滤波器、仪表放大器前级)。对于高频或高边沿速率的应用,应选用更高速放大器。
  2. 精度与漂移:3.5 mV 的失调电压配合 3 µV/℃ 的温漂,能在多数精密测量场合保持良好直流精度,尤其适合需要长期稳定性的系统。
  3. 高输入阻抗与低噪声:30 pA 的低偏置电流和 35 nV/√Hz 的噪声密度,使其非常适合高阻抗传感器(热敏、电化学、电容式等)的前端放大。
  4. 轨到轨 I/O 与宽供电:支持 3V 单电源供电并能在靠近电源轨处输入输出,便于在低电压电池供电系统中最大化动态范围。宽电源范畴(最高 36V)也能满足工业电源应用需求。
  5. 输出驱动能力:最大 45 mA 的输出电流可驱动中等负载,但若需驱动低阻负载或功率较大的执行器,建议外接功率放大器或驱动器。

四、典型应用

  • 传感器信号调理与放大(温度、压力、光电、应变计等)
  • 便携式与电池供电测量仪表、数据采集前端
  • 有源滤波器、积分/微分电路与基准缓冲
  • 工业控制的模拟前端与差分信号放大
  • ADC 驱动电路(注意与 ADC 的带宽匹配)

五、封装与引脚(SOP-8,常见引脚排列)

  • Pin1:输出 A
  • Pin2:反相输入 A
  • Pin3:同相输入 A
  • Pin4:V–(负电源/地)
  • Pin5:同相输入 B
  • Pin6:反相输入 B
  • Pin7:输出 B
  • Pin8:V+(正电源)

(建议在设计时参考厂商完整数据手册确认引脚与电气特性。)

六、使用建议与注意事项

  • 电源去耦:靠近器件的 V+ 与 V– 引脚放置 0.1 µF 陶瓷电容与 10 µF 电解电容,可降低电源噪声与瞬态。
  • 输入保护:尽量避免输入端超过电源轨的电压,应对高压源或反向信号采取限流或钳位保护。
  • 驱动与稳定性:直接驱动容性负载可能引起振荡或稳定性问题,必要时在输出串联小电阻或加补偿网络。
  • 热管理:在高环境温度或高负载工作下,应关注封装散热与功耗。

若需器件样片、详细电气特性曲线或参考电路图,请联系 ElecSuper(静芯微)或查看官方数据手册。