MUN5232DW1T1G 产品概述

一、概述

MUN5232DW1T1G 是安森美（ON Semiconductor）提供的一款双通道预偏置 NPN 数字晶体管，集成基极限流电阻，采用小型 SOT-363（SC-88/SC70-6）封装。器件面向微控制器接口、逻辑电平驱动及小电流开关场合，便于直接与 TTL/CMOS 输出相连，无需外部基极电阻即可实现可靠开关。

二、主要规格

• 集射极击穿电压 VCEO：50 V
• 集电极电流 IC：最大 100 mA（单管）
• 总耗散功率 Pd：187 mW（器件规格表）
• 直流电流增益 hFE：典型 15（条件：IC=5.0 mA, VCE=10 V）
• 输入阈值：VI(on) 最小 2.4 V；VI(off) 最大 1.2 V
• 输出饱和电压 VO(on)：约 200 mV（特定偏置条件下）
• 内置基极电阻：4.7 kΩ（两通道电阻比率 1:1）
• 工作温度：-55 ℃ ~ +150 ℃

（注：描述中有时会出现 250 mW 的标称耗散，设计时请以正式数据手册为准。）

三、功能与优势

• 预偏置设计：内置基极电阻直接与 MCU/逻辑输出相连，简化 PCB 布局与 BOM。
• 小型封装：SOT-363 适用于高密度贴片设计，节省空间。
• 对称双通道：两路 NPN 参数一致，便于成对使用和电路对称设计。
• 低饱和压降：VO(on)≈200 mV，有利于提高驱动效率和降低功耗（在允许的电流条件下）。
• 宽工作温度：适合工业级温度范围应用。

四、典型应用

• MCU/FPGA 数字输出驱动与电平移位
• 小信号继电器、晶体管开关驱动（低功耗设备）
• LED 驱动（小电流）与指示灯控制
• 信号缓冲、接口保护与逻辑转换

五、设计与使用注意

• 热管理：单管 IC 最大 100 mA，耗散功率受限于 Pd（规格表为 187 mW），长时间高电流工作需注意结温与 PCB 散热。
• 输入门限：确保逻辑高电平≥VI(on)（建议留有裕量），逻辑低电平≤VI(off) 以保证可靠关断。
• 校核参数：VO(on)、hFE 等与测试条件相关，实际电流与温度会影响开关表现，设计前请参考完整数据手册。
• 布局建议：尽量为集电极和发射极提供足够铜箔散热，减少走线阻抗以控制电压降。

六、封装与采购

型号：MUN5232DW1T1G；品牌：ON（安森美）；封装：SC-88/SC70-6/SOT-363。适用于需要双通道预偏置 NPN 且体积受限的应用场景。购买与最终设计实施前，建议下载并核对官方数据手册以获得完整的电气特性和封装引脚图。