型号:

UPZ2012E101-4R0TF

品牌:Sunlord(顺络)
封装:未知
批次:两年内
包装:编带
重量:0.037g
其他:
-
UPZ2012E101-4R0TF 产品实物图片
UPZ2012E101-4R0TF 一小时发货
描述:磁珠 100Ω@100MHz ±25% 4A 0805
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.273
500+
0.0912
产品参数
属性参数值
阻抗@频率100Ω@100MHz
误差±25%
额定电流4A
通道数1
工作温度-55℃~+125℃

UPZ2012E101-4R0TF 产品概述

一、产品简介

UPZ2012E101-4R0TF 为顺络(Sunlord)系列贴片磁珠,标称在 100MHz 时阻抗为 100Ω,公差 ±25%,额定直流电流 4A,单通道结构,工作温度范围 -55℃ 至 +125℃。该元件适用于电源与信号线的高频干扰抑制与阻尼,常用于空间受限的 0805(2012 公制)封装线路板设计中,可在高电流场合提供较好的 EMI 控制能力。

二、主要性能参数

  • 阻抗:100Ω @ 100MHz,误差 ±25%(请注意此为标称值,实际工作阻抗受频率、温度与直流偏置影响)
  • 额定电流:4A(连续直流负载能力,用于判断通过电流时的温升与阻抗衰减)
  • 通道数:1(单端/单线使用)
  • 工作温度:-55℃ ~ +125℃(适用于工业级温度要求)
  • 封装参考:0805(2012 公制)— 推荐在最终设计中以厂商数据手册中尺寸为准

三、器件功能与工作特性

磁珠本质上对高频具有损耗性阻抗,用以抑制射频噪声与瞬态干扰。UPZ2012E101-4R0TF 在 100MHz 附近表现出 100Ω 阻抗,有利于衰减该频段的干扰能量;随着频率偏离标称点,其阻抗特性会变化,同时当通过较大直流电流时,磁珠内部磁芯会产生磁化导致阻抗下降(DC bias 效应)。因此在高电流应用中应考虑阻抗随电流的降额。

四、典型应用场景

  • 开关电源输入/输出线的 EMI 滤波与瞬态抑制
  • 电源总线、USB/充电口及摄像头电源等需兼顾较大电流与噪声抑制的场合
  • 无线通信、FPGA、处理器周边的局部高频干扰控制(单线级别)
  • 空间受限的消费电子与工业控制类产品(适配 0805 贴片工艺)

五、选型与布局建议

  • 确认频谱:首先通过频谱分析确定需抑制的主要干扰频段,若主要噪声集中于 100MHz 附近,UPZ2012E101-4R0TF 为合适选择。
  • 考虑直流偏置:在接近或超过额定电流时,请评估阻抗衰减,必要时选择更高额定电流或并联多颗器件分担电流。
  • 布局要点:将磁珠尽量靠近噪声源或进入敏感电路的入口处放置,输入侧靠近连接器/源端,确保回流路径不被无谓延长。避免暴力弯折 PCB 引起器件机械应力。
  • 与其它滤波元件配合:可与陶瓷电容(旁路电容)配合形成 RC/LC 网络,针对不同频段实现更宽频带的抑制效果。

六、可靠性与工艺注意

  • 焊接:遵循无铅回流焊温度曲线,避免超出厂商推荐的温度-时间曲线以免影响性能与可靠性。
  • 机械应力:0805 尺寸器件对焊接与板弯曲较敏感,建议在贴装与后处理时控制热应力和机械应力。
  • 清洁与检测:建议使用兼容工艺清洗剂,及通过阻抗仪或网络分析仪测量实际频率响应,验证批次一致性。
  • 环保与规范:通常符合 RoHS 要求,但最终以顺络官方资料为准。

七、结论与建议

UPZ2012E101-4R0TF 为一款适合中高频段(以 100MHz 为参考点)EMI 抑制的单通道磁珠,特点是额定电流较高、工作温度范围广,适用于电源与高噪声路径的滤波。实际选型时应结合目标电路的干扰频谱与直流电流状况,必要时索取顺络完整数据手册确认封装尺寸、阻抗频率曲线、DC bias 曲线与回流焊工艺规范。如需我帮忙整理与比较同类产品参数或绘制阻抗-频率与阻抗-电流的选型参考表,可进一步提供应用场景与测量数据。