型号:

BFP740ESDH6327XTSA1

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-343
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
-
BFP740ESDH6327XTSA1 产品实物图片
BFP740ESDH6327XTSA1 一小时发货
描述:三极管(BJT) 160mW 4.7V 45mA NPN SOT-343-4
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.42
3000+
1.34
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)45mA
频率 - 跃迁45GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz
工作温度150°C(TJ)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)160 @ 25mA,3V
安装类型表面贴装型
功率 - 最大值160mW
增益8.5dB ~30.5dB
电压 - 集射极击穿(最大值)4.7V

产品概述:BFP740ESDH6327XTSA1

产品简介

BFP740ESDH6327XTSA1是由英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能NPN型晶体管。该晶体管设计用于满足现代无线通信、信号放大及高频率应用的需求。其出色的性能特点和高可靠性,使之成为各种电子项目中的理想选择。

基本参数

BFP740ESDH6327XTSA1具有如下核心参数:

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流(Ic)最大值:45mA
  • 跃迁频率:高达45GHz,适合超高频应用
  • 典型噪声系数:在150MHz至10GHz范围内,噪声系数为0.55dB至1.8dB,意味着在高频工作时的信号可读性良好
  • 工作温度:该器件的结温可达到150°C,适合高温环境中的应用
  • 电流增益(hFE):在25mA和3V条件下,最小电流增益达到160,确保放大信号的能力
  • 功率:最大功率达160mW,能够有效承受较高的功率需求
  • 集射极击穿电压(Vce):最高为4.7V,适用于低电压电路设计
  • 增益范围:从8.5dB至30.5dB,适应不同增益需求
  • 安装类型:采用SOT-343表面贴装封装,适合紧凑型PCB设计

应用领域

BFP740ESDH6327XTSA1因其卓越的性能和多功能性,广泛应用于如下领域:

  1. 无线通信系统:包括RF放大器、信号处理及接收器等。
  2. 消费电子:如无线音频设备、移动电话及其他便携式设备。
  3. 传感器系统:在传感器前端的信号放大,以提高信号的稳定性和准确性。
  4. 测试设备:用于测试与测量设备中,提供所需的开关和放大功能。
  5. 高频电路设计:由于其高达45GHz的跃迁频率,非常适合在毫米波频段操作。

设计优势

BFP740ESDH6327XTSA1的设计极具优势,它的低噪声系数有助于保持信号的清晰性。同时,其高频特性和宽增益范围,使其在高频率应用中表现优异,能够有效满足苛刻的设计要求。此外,考虑到现代电子设备对小型化与集成度的追求,SOT-343小型封装使得其在紧凑设计中也能轻松实现。

可靠性与稳定性

英飞凌作为全球知名的半导体制造商,其产品在可靠性和稳定性方面都经过严格的测试与验证。BFP740ESDH6327XTSA1具备出色的热稳定性,能够在高温环境下保持良好的工作性能,延长设备的寿命,并降低维护成本。

总结

总之,BFP740ESDH6327XTSA1不仅在性能上表现卓越,同时其设计也充分考虑到现代电子产品的多样化需求。这款高频NPN晶体管适用于各种高性能应用场景,不论是在工业、消费电子或是通信领域,都能为工程师和设计师提供充足的支持。无论您是在为新产品开发寻找合适的晶体管,还是在更新现有设计,BFP740ESDH6327XTSA1都是值得考虑的优质选择。