EG2226 产品概述

一、产品简介

EG2226 是屹晶微(EG)推出的一款用于驱动功率 MOSFET 的全桥驱动器，采用 SSOP-16 封装，专为 10V~20V 驱动电压系统设计。器件内部集成欠压保护（UVP），能在-40℃至+125℃的工业温度范围内可靠工作，适合电机驱动、电源转换和同步整流等中高功率应用场景。

二、主要参数

• 驱动配置：全桥（四路高/低侧驱动用于 H 桥/桥式拓扑）
• 负载类型：MOSFET 驱动
• 拉电流(IOH)：600 mA（对上拉/源极驱动能力）
• 灌电流(IOL)：1 A（对下拉/吸收能力）
• 工作电压：10 V ~ 20 V（典型 12V/15V/18V 系统兼容）
• 上升时间(tr)：350 ns
• 下降时间(tf)：140 ns
• 输入低电平(VIL)：-300 mV ~ 1 V（输入容限，支持小幅负摆动）
• 特性：欠压保护（UVP）
• 工作温度：-40 ℃ ~ +125 ℃
• 封装：SSOP-16

三、典型应用

• 无刷/有刷电机驱动（H 桥拓扑）
• 车载电子（12V/24V 总线）驱动模块
• 同步整流与降压/升压电源的功率级驱动
• 步进驱动器与功率放大模块

四、性能与设计建议

1. 驱动能力说明：600 mA 源、1 A 汲（吸）能力表明器件在关断时可较快把栅极电荷拉低（快速关断），开通时源电流相对较小，开通速度受限于 tr。根据 MOSFET 的栅极电荷（Qg）选择合适的栅阻以平衡开关损耗与 EMI。
2. 时序注意：上升/下降时间分别为 350 ns 与 140 ns，系统设计时需考虑开关损耗、死区时间及热耗散；若需更快开关，可配合外置驱动器或降低栅电阻。
3. 欠压保护：UVP 能在驱动电源不足时防止误触发，建议在设计中留意 UVP 的阈值与恢复特性，保证在电源瞬态下不会产生误动作。
4. 输入容限：输入低电平支持至 -300 mV，能容忍小幅负脉冲或接地抖动，但长期负压或超出范围仍应避免。
5. 热与布板：SSOP-16 封装热阻有限，需在 PCB 布局中做好散热路径、加强地平面并靠近驱动电源放置退耦电容（建议在 VCC 靠近器件放置 0.1 μF 与 1 μF 并联陶瓷电容）。

五、使用要点与兼容建议

• 在驱动桥式 MOSFET 时，务必外加合适的栅极电阻与吸收网络，预防振铃与 EMI。
• 设计死区时间与 MOSFET 的开关特性匹配，EG2226 本身不保证内部死区管理，需在控制逻辑/MCU 一侧实现。
• 更换或替代同类器件时，核对引脚排列、热参数与欠压阈值，避免直接互换导致系统异常。
• 在车规或高温场合，注意器件在 125 ℃ 上的持续功率耗散与可靠性评估。

总之，EG2226 在中高压 10~20V 的 MOSFET 全桥驱动场景中提供了稳健的驱动能力与工业级工作温度范围，是对功率级驱动要求明确、注重保护与可靠性的工程应用的良好选择。