型号:

LMV358IDR-MS

品牌:MSKSEMI(美森科)
封装:SOP-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LMV358IDR-MS 产品实物图片
LMV358IDR-MS 一小时发货
描述:未分类
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.285
2500+
0.25
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)5.5V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)1.5MHz
输入失调电压(Vos)2mV
输入失调电压温漂(Vos TC)650nV/℃
压摆率(SR)1.2V/us
输入偏置电流(Ib)2pA
输入失调电流(Ios)1pA
共模抑制比(CMRR)95dB
静态电流(Iq)50uA
工作温度-55℃~+125℃
单电源2.1V~5.5V
双电源(Vee~Vcc)-2.75V~2.75V

LMV358IDR-MS 产品概述

一、产品简介

LMV358IDR-MS 是美森科(MSKSEMI)推出的一款双路低功耗运算放大器,封装为 SOP-8。器件支持轨到轨输入与轨到轨输出,在单电源或双电源工作条件下均能稳定工作,适合便携设备和工业测量等多种场合的模拟前端设计。

二、主要特性

  • 双路放大器,节省 PCB 面积与成本。
  • 最大电源宽度 (Vdd–Vss):5.5V;单电源工作电压范围 2.1V ~ 5.5V,双电源范围 Vee~Vcc = -2.75V ~ 2.75V。
  • 轨到轨输入与输出,便于在低电压和接近电源轨的信号条件下使用。
  • 增益带宽积(GBP):1.5MHz,适合低频到中频放大与滤波。
  • 压摆率(SR):1.2V/μs,满足大多数慢速信号的动态响应需求。
  • 极低输入偏置电流 Ib ≈ 2pA,输入失调电流 Ios ≈ 1pA,利于高阻抗传感器接口。
  • 输入失调电压 Vos ≈ 2mV,温漂 Vos TC ≈ 650nV/℃,在宽温度范围内保持良好精度。
  • 共模抑制比(CMRR):95dB,静态电流 Iq:约 50μA/通道(典型),适合低功耗系统。

三、电气性能概览

LMV358IDR-MS 在 2.1V 单电源条件下即可正常放大常见传感器和差分信号,轨到轨特性允许输入与输出接近电源轨,减少与电源相关的接口电路。GBP 1.5MHz 与 SR 1.2V/μs 表明该器件更适合直流放大、低通滤波与缓冲等应用,而非高带宽高速运放场合。超低输入偏置电流和良好的失调电压温漂使其在温度变化较大的环境中仍能保持稳定测量。

四、典型应用

  • 电池供电的便携测量仪器与数据采集前端
  • 传感器接口(高阻抗传感器如压力、电化学等)
  • 低频主动滤波与信号缓冲
  • 工业控制和过程测量中的模拟信号调理

五、优势与使用注意

优势在于低功耗、轨到轨能力与极低输入偏置电流,适合对功耗与输入偏置要求严格的系统。使用时需注意其带宽和压摆率限制:对于要求高开环增益或快速脉冲响应的场合,应评估 GBP 与 SR 是否满足需求;在高频环境下需采取良好布局与旁路电容以保证稳定性。

六、封装与环境

LMV358IDR-MS 提供 SOP-8 封装,适合常规贴片生产与焊接工艺。工作温度范围为 -55℃ 至 +125℃,可满足宽温区工业级应用需求。

如需进一步的典型电路、引脚定义或详细电气表(负载能力、噪声、输入共模范围等),建议参考厂方完整数据手册或联系美森科技术支持以获得器件的典型参数曲线与参考设计。